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器件型号：XTR111 您好！
我n´t XTR111进行了设计、我发现它需要推荐的 MOSFET (BSP170P L6327)、但我无法使用它、因为我没有空间放置它。 您能给我一个更小的建议吗？
感谢大家、
您好、Gonzalo、
电流输出功率耗散的主要部分位于外部 FET 中。 正如 Kai 所解释的、必须考虑外部 FET 的功耗、这是电源电压和电流输出范围的函数。
请在设计中包含适合 FET 的散热器。 例如、XTR111-2EVM 在 SOT23-3封装中整合了 ZXMP6A13FTA P-Channer MOSFET。 如果您参考 XTR111EVM 用户指南第7页上的 XTR111电路板布局、P-FET 的漏极(PIN2、引脚4散热器)被连接 至顶部的一个隔离式铜填充、并连接至底部的另一个隔离式铜填充以散热。
谢谢、此致、
Luis
您好、Gonzalo、
在低电源应用中使用时、外部 P-FET 的功耗将更低。 例如、如果您的电源为+10V、且最大电流为20mA、则 FET 中耗散的功率将限制为大约~0.2W。
-请澄清此 XTR111 3线变送器应用的电源电压范围要求？
需要支持的最大电流范围是多少？
-请告诉 我此应用中所需的最大负载电阻是多少。 如果可能、请提供 XTR111电路的原理图。
请记住、降低 XTR111电源电压时、XTR111需要最低顺从电压。 XTR111本身、在不考虑最小外部 P-FET 晶体管源漏电压的情况下、顺从范围比电源电压 Vsp. 此外、第3页的脚注(4)指出 XTR111最小顺从电压受限(+Vsp-2V)+ VDS、其中 VDS 是外部 P-FET 晶体管线性运行所需的外部晶体管漏源电压。 我们还需要考虑 输出路径中的任何串联电阻、电流路径上的外部二极管/钳位导致的压降。 请参见下图。
谢谢、此致、
Luis
