尊敬的先生：
我 对这个问题有疑问。 INA129 d/s 具有图26的第8.2.2.4节说明和三个示例。
1) 1) 该电流返回路径对于直流耦合信号源是否不必要？
2) 2)如何计算热电偶的正确电阻值(例如图26中的10K Ω)？
3) 3)是否需要 RTD 源？ INA129放置在 RTD 引线电阻(各为100 Ω)与 ADS124S08输入之间。
4) 4)如果是、将连接哪一个或两个电阻？ 以及如何计算返回路径电阻值？
4)如果有更详细的技术说明、应用手册等、则最好有。
此致、
Masa
尊敬的 Kai：
我将在下面连接热电偶和 RTD 原理图
此致、
Masa
尊敬的 Kai：
非常感谢您的解释。 我知道 RTD 不需要。 我仍然想了解热电偶情况。
热电偶是否与每个 输入电容器和变压器作为交流耦合的浮动输入源具有相同的原因？
如果它未绝缘但接地热电偶类型、则无需避免接地环路、对吧？
以及如何计算/估算返回路径寄存器值？ 对于接地连接、它是否可以高于10千欧姆甚至1兆欧姆？
此致、
Masa
你好、Masa、
假设您的测量对象受到干扰电压、噪声和瞬变的污染、并且您不希望该噪声注入信号接地。 这时、您需要考虑使用 INA129等仪表放大器。
测量对象的干扰电压表现为共模噪声、并达到 INA129的两个输入。 为了不削弱 INA129出色的共模抑制能力、您必须注意、连接到热电偶一个桥臂的偏置电阻器不会将共模噪声转换为差分噪声。 根据数据表、当增益为100时、INA129的共模抑制比在200Hz 以下约为125dB、因此您需要偏置电阻器的"共模抑制比"优于125dB。
以下仿真显示了热电偶感应点与10pF 测量对象之间存在杂散电容和10k 偏置电阻器的应用：
您可以看到共模噪声在200Hz 以下被抑制超过140dB。 因此、这是一个良好的方案、并且正确选择了偏置电阻器。
但是、如果热电偶感应点和测量对象之间的杂散电容较高、假设为100pF、您将获得以下仿真：
共模抑制现在仅为120dB、将降低 INA129的性能。 在这种情况下、也可以在热电偶的另一个桥臂上添加偏置电阻器：
即使阻抗匹配不是完美的(22k 而不是25k)、共模抑制也会得到相当大的提升！
热电偶注意事项：我在-导线中测量了8R 的典型电阻、在类型为 k 热电偶的+导线中测量了20R 的典型电阻、每个电阻都在感应点和插头之间。
Kai
尊敬的 Kai：
非常感谢您的热电偶导线模型和仿真。
我模拟了、并在 R3 = 1M 而不是10K 时获得几乎相同的 CM 抑制139dB。
我想知道10K 欧姆的返回路径电阻值是否由另一个通过 C1的偏置电流对 INA129输入充电电压进行放电的原因决定、对吗？
INA129偏置电流非常低、然后充电速率非常快、这使得常见电压漂移可能很好、如果 R3不足以对 CMV 漂移进行放电、则增益 INA129输出将影响漂移。
我想知道 INA129数据表中是如何确定10K 的。
如果我使用接地热电偶、是否应该不具有 返回路径电阻以避免接地环路？
此致、
Masa
你好、Masa、
通常的技术是使偏置电阻器尽可能小、并且尽可能大。 增大偏置电阻器会增加 OPAMP 必须承受的共模噪声的绝对值。 因此、过多地增加偏置电阻器是不明智的：
在以下仿真中、显示了杂散电容为100pF 的情况：
我尚未理解您的最后一个问题。
Kai
尊敬的 Kai：
感谢您再次进行仿真。 我了解 CM 噪声的折衷。 10K 电阻不是来自特定公式。
接地环路问题如下所示；
此致、
Masa
