[参考译文] LM358：LM358

admin

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器件型号：LM358

您好！

客户希望了解旁路电容器与 IC 之间的距离。你会建议吗？

此致、

渡边俊弘

0 admin 6 年多前

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你好，

去耦电容器没有设定阈值。我们建议将它们放置在尽可能靠近器件的位置。去耦电容器离 IC 越近、其效率就越高。数据表中的第12节详细介绍了布局指南并讨论了此主题。选择低 ESR 电容器并在电容器和电源引脚之间建立低电感连接非常重要。

希望这有所帮助、
Paul

0 admin 6 年多前

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你好，

将去耦电容器视为芯片的一部分。正如 Paul 已经提到的、去耦电容器应该直接位于电源引脚上。最好将去耦电容器的另一侧连接到实心接地层、LM328的电源接地和信号接地也连接到该接地层。

当然、这取决于实际应用和芯片、将去耦电容器放在芯片旁边有多重要。某些应用具有一个用于一组放大器的单个去耦电容器、工作效果令人满意。另一些则需要在每个芯片上使用多个去耦电容器的精密并联组合、以使电路正常工作。但为什么要冒去耦电容器离芯片太远的风险？只需将其放置在靠近芯片的位置、一切都很好。

在大多数情况下、每个芯片和电源线的标准去耦电容为100nF 即可。

Kai

放大器（参考译文帖）(Read Only)