[参考译文] THS4551：意外的大电流消耗

您好、Hai、

我不熟悉这个芯片。 但 C117是否不是有点高？ 这是否会在反馈环路中引入巨大的相位滞后、并通过减小相位裕度来导致不稳定？ 我已经查看了数据表、发现当 TI 在输入之间放置这样一个电容器时、它们总是将这个电容器与从输出到输入的合适相位超前电容相结合。 我想您的电路会振荡。

另一个提示：如果您使用 LC 滤波器进行电源去耦、请注意不要出现谐振！ 这些铁氧体磁珠通常提供1...10 2µH μ H 的低频电感。 根据 Thomson 先生的说法、这将使共振频率与 C105相结合、达到130kHz。 在此频率下、铁氧体磁珠不提供任何等效串联电阻来抑制谐振。 因此、您的去耦方案在130kHz 时可能会变得非常高的阻抗、根本不显示去耦能力。

为了避免这种谐振、根据 R >= SQRT (2XL/C)、将一个小电阻 R 串联到铁氧体磁珠。 在您的情况下、R >= 1.8欧姆是合适的。

最好的解决方案是使用 π 型滤波器去耦。 这将消除布线的影响。 因此、在铁氧体磁珠和串联电阻器的前面放置另一个1µ μ F 去耦电容器、以便去耦方案看起来像"PI"。

Kai