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[参考译文] TLV274-Q1:有关 Vio 偏移的数据表规格的含义

Guru**** 2443680 points
Other Parts Discussed in Thread: TLV274-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/692153/tlv274-q1-meaning-of-datasheet-spec-about-vio-offset

器件型号:TLV274-Q1

TLV274-Q1的偏移通过以下电路配置进行测量、结果如下所示。


问题1. °°的漂移值为25 μ V => 125 μ V 时的0.2mV 差值、而 Vio 偏移全范围值在7mV 时非常大。 我能否理解、由于每个 IC 的制造变化引起的偏移、整个 Vio 偏移范围具有较大的值?
我能否理解、在大约100摄氏度时、与温度相关的变化约为0.2mV?

问题2.您能就电路配置和最大限度降低产品 Voffset 影响的方法提出建议吗?

谢谢!

此致!

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    您好、Yoo、

    是的、偏移电压的最大规格考虑了生产容差。 是的、温度对失调电压的影响与您计算的结果类似。 这是环境温度增加100K 时的典型偏移电压变化。

    最小化偏移电压的最简单方法是使用另一个显示较低偏移电压的芯片。

    Kai

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    您好、Yoo、

    您能否提供有关您的设计和应用的更多信息? 我们将能够提供更好的指导、以最大限度地减小 Vio 的影响、并提供更多细节。

    通常、最大限度地减小 Vio 影响的最佳方法是选择一个可在您的应用中接受的具有 Vio 电平的运算放大器。 要进一步了解 Vio、我建议观看以下 TI 高精度实验室视频 :training.ti.com/ti-precision-labs-op-amps-vos-and-ib

    最棒的
    Paul
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    非常感谢!