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器件型号:TLV274-Q1 TLV274-Q1的偏移通过以下电路配置进行测量、结果如下所示。
问题1. °°的漂移值为25 μ V => 125 μ V 时的0.2mV 差值、而 Vio 偏移全范围值在7mV 时非常大。 我能否理解、由于每个 IC 的制造变化引起的偏移、整个 Vio 偏移范围具有较大的值?
我能否理解、在大约100摄氏度时、与温度相关的变化约为0.2mV?
问题2.您能就电路配置和最大限度降低产品 Voffset 影响的方法提出建议吗?
谢谢!
此致!