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[参考译文] INA225-Q1：流经 Vin+& amp 的高电流；Vin-在正常运行时-可能的情况？

admin
Guru**** 2526700 points
Other Parts Discussed in Thread: INA225-Q1, INA225, INA240

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/713100/ina225-q1-high-current-trough-vin-vin--in-normal-running---possible-cases

器件型号：INA225-Q1
主题中讨论的其他器件： INA225、 INA240

尊敬的 E2E 论坛：

我将 INA225-Q1器件用于具有以下配置条件的双向应用：

VS：5V，±5%精度

VREF：1V8±2%精度

增益配置：50 (GS0 ="GND"、GS1 ="Vs")

分流电阻器：10mR、±1%到

测量电流范围：±3A  

共模电压：7V 至30V

现象 观察： 在效率 评估期间、观察到 INA225器件的温度上升至150ºC μ V (未使用外部输入电阻)。 我在线路中的每个差分中放置了1k 的输入串行电阻(每条线路1k、只是为了限制电流、我知道精度会受到影响)。 电流降低、INA 的输出也正常工作(与电流环路测量相比、精度预期为-30%)。

在这个试验之后、我通过每个镍和 Vin-从外部注入电压、并且电流变得非常高(Vin+：  使用50R 串联电阻在2.5V 时为30mA、从 Vs 汲取的电流为30mA、在 Vin- I 上使用50MR 串联电阻在2.5V 时测得0.6mA、在本例中、电流非常低)。 因此、Vin+的电流会影响电源电流...  

我有以下问题：

1) 1) 什么会导致这种行为？  ( 在某些情况下、某些小电感脉冲可能会在 极短的时间内高于指定的 VCM)

2) 2) 在实现 VCM 的情况下最大可接受电流是多少.  10R 至50R 足以 限制钳位电流？

3) 3)内部会或多或少受到什么影响？  (在内部串联电阻之前、我看到 Vin +和 Vin -之间存在一些偏置网络)  

4) 4)如果输入线路受到影响、是否可以使器件正常工作？ (即使在最糟糕的条件下、INA225的输出也会反映出接近 现实的情况、我对此感到非常惊讶)。

5) 5)您是否在双向应用中的电感负载应用中具有 INA225的任何设计配置？  (H 桥应用在两个方向上读取电感器/电机电流、而不是低侧或高侧配置)

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    TI__Guru**** 2526700 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Natanael、

    感谢您考虑在系统中使用 INA225。

    根据您刚才所说的在 VIN+和 VIN-上外部注入电压的内容、您可能已经销毁了器件、因为30mA 远高于器件在整个共模电压范围内的典型输入偏置电流。 我认为、如果您使用新器件执行相同的测试、您可以确认这一点。

    虽然内部 ESD 结构设计用于保护器件免受 ESD 事件的影响、ESD 事件会向器件注入大电压、但这些事件的持续时间极短。 虽然您的电感瞬变对您来说很短、但其幅度仍可能比典型的 ESD 事件长、因此 ESD 可能会充分升温并遭受热损坏。

    2.如果您只想使用一个串联电阻器将电流限制在输入引脚上、则需要一个相当大的电阻器、具体取决于您计划运行的额定共模电压的高多少。 下面我举一个简单的示例。 顶部显示了假设只有电路板走线电阻、将灌入的电流、而底部示例显示了在最大瞬态 VCM 为45V 的情况下、如何仅灌入5mA 电流。

    3.和4. 设备故障可能有多种形式。 超出器件规格可能会使性能缓慢下降。 当超出器件规格时、所有器件都将最终失败。 当 ESD 结构断裂时、它可能会随机导致短路或开路、这可能并不总是一致地显示相同的故障行为。

    5.对于 INA225、我不知道涉及感应 H 桥中电感负载的特定应用手册或 TI 设计。 但是、我将与我的团队核实、看看我们是否确实有什么东西。  您使用的开关频率是多少？ 我们通常推广的涉及电感负载的器件是 INA240。 这是模拟输出器件。 我们在这里有一些有关内联感应的信息 以及 一个示例。

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    TI__Guru**** 2526700 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Patrick：

    感谢您的及时反馈！ 下面是您所考虑的要点的缺失输入。

    相关：

    1) 1)我已经订购了新样片、我希望您能有上述行为

    2、3和4)我将使用1K 作为电感负载增强、我没有时间介绍 INA240、我在1周内冻结了设计。 这里的问题是输入电阻函数的增益误差因子的可控程度(假设输入电阻为0.1至1000欧姆、请参阅我的附件评估草案)。 我是否可以使用我的计算结果、即增益误差因子补偿？ 例如：如果使用1k，ADC_CURRENT MAY应该 用 AAN 校正因子 Iout*(1+0.451)进行补偿？ 准确度可能有多高... ？ 输入电阻 RINT 有多稳定/可控？

    5) 5)我真的会使用 INA255、它已经在我的数据库中、并用于其他项目。

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    TI__Guru**** 2526700 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Natanael、

    这些 Rint 阻抗为40k、容差为15%。 因此、您的增益误差范围可能介于45.1%至45.3%之间、您应该能够使用上面发布的公式来计算该误差。  由于您打算在 ADC 读数中进行补偿并考虑增益的变化、因此您应该是可以的。  但是、请不要忘记存在其他误差来源。  不过、大多数其他源仅对低电流很重要。  如果您不熟悉 CMRR、PSRR 和失调电压的误差、我建议查看 以下培训系列。