你好
我对 XTR305的模拟输出保护有疑问。
我想将其用于电流(+/- 26mA)和电压(+/- 12V)。 XTR305已经包含了一些保护功能、但我也想保护它不受输出侧永久过压的影响。
是将二极管钳位到 V+/-。 这些不能防止永久过压、因为我的 V+电源将上升至32V... 使用电阻器限制电流也不可行、因为我们需要低电阻输出(电流输出)。
我尝试将 TVS 二极管与 PPTC-Fuse 结合使用。 但这里的问题是、我的工作温度范围高达85°C、在 宽温度范围内使用 PPTC、尤其是在高温下使用 PPTC 有点棘手、因为它们的工作电流和故障电流必须相当高。
还有哪些其他保护机制可保护输出免受过压影响？
V+/-= 18V
过压= 32V
谢谢
尊敬的 Thomas：
这是一种可能适合您的方法。 您可以将肖特基二极管与齐纳/TVS 或钳位到接地端的双向 TVS 串联、而不是使用电源、这样您就不会将电流倾入电源中。 只要 DRV 输出端的电压不超过电源电压、您就不必担心 ESD 单元的打开、DRV 就应灌入流经负电源的电流。 为了安全起见、您还可以在电源中包含 TVS、如图所示。 您仍需要一定数量的串联电阻来限制流入二极管的电流、但只要保持足够低的电流、它就不会在正常运行期间对您的电路产生显著影响。
最后需要注意的一点是、您需要在 INA 引脚上使用串联电阻来限制流经 ESD 单元的电流、该电流应限制在<10mA。 该电流将流入您的电源、因此可能需要额外的 TVS。 或者、您可以在二极管限流电阻器之前获取 INA 反馈、但这将影响您在电压输出模式下的精度。
大家好、Thomas、
很抱歉耽误你的时间。 我已经对此进行了一些讨论、我认为您可以做的最简单的事情之一可能是使用具有两个 N 沟道 MOSFET 的分立式实施。 我附上了一个示例：
e2e.ti.com/.../7217.XTR305-Protection-example.TSC
该电路的基本功能取决于命令输出电平、但我认为它应在任何情况下保护器件。 在正常运行期间、顶部 FET 将始终处于导通状态、并且由于 FET 的导通电阻、应该只有很小的误差量。 一旦电路输出端出现过压情况、底部 FET 将打开、并切断顶部 FET。 如果从 DRV 发出负电压命令、则顶部 FET 将保持导通状态、DRV 放大器将达到其短路电流限制。 XTR300应该能够在这一点上正常运行、但是您仍然需要确保在您的环境中可以承受的功率耗散。 在 DRV 上具有负电压时、顶部 FET 必须从栅极到源极下降-30V、并且我没有很多 FET 可以这样做、因此我在栅极到源极之间添加了一个 TVS、以将其钳制为+/-12V。
您还可以在类似的电路配置中使用光电继电器实现相同的功能。 这将为您提供一个优势、即无论所需的 DRV 电压如何、输出都能真正断开、但这可能更昂贵。
