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器件型号：TLV1805-Q1 您好！
请解释 IN+和 IN-之间的 D4肖特基二极管是如何工作的？ 在什么情况下？ 在数据表中、这适用于反向电源等事件、但我无法理解问题是什么。
我还想向您解释一下负载上的 D6齐纳二极管是如何工作的。 我无法理解浮动负载如何打开 FET。
谢谢。
Oguri (TIJ 汽车 FAE)
您好！
请解释 IN+和 IN-之间的 D4肖特基二极管是如何工作的？ 在什么情况下？ 在数据表中、这适用于反向电源等事件、但我无法理解问题是什么。
我还想向您解释一下负载上的 D6齐纳二极管是如何工作的。 我无法理解浮动负载如何打开 FET。
谢谢。
Oguri (TIJ 汽车 FAE)
您好、Masatoshi、
数据表图9中 D4的极性错误！ 此问题已在 EVM 中得到更正：
D6在电池反向和轻负载期间是合理的：如果 N-MOSFET 已成功导通、则由于 U1的偏移电压、例如 D6允许高电流在短时间内流经 N-MOSFET、这足够高、使漏极比源极更正向。 这由 R2感测并使 U1关断 N MOSFET。 轻负载时、漏极源极电流可能不够高、无法在 N-MOSFET 的 Ron 两端产生足够的漏极源极电压、从而使 U1关断 N-MOSFET。 这就是需要 D6的原因。 一旦 N-MOSFET 关断、D6允许电流流经 R2和 D4、使 U1保持关断 N-MOSFET。
Kai
