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[参考译文] LF198QML:保护技术布局指南

Guru**** 2589300 points
Other Parts Discussed in Thread: LF198QML

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1224340/lf198qml-layout-guide-of-guarding-techniques

器件型号:LF198QML
尊敬的 TI 支持团队:
您好!
我想从您那里获得有关 LF-198QML 这种封装类型是 TO-99的信息。
在其数据表中、有针对数字馈通的保护环技术、但它只是关于10引脚类型和 DIP 型充电电容器的一个示例。
以下是一些问题。
1.如果我将8引脚 TO-99型与 SMD 充电电容配合使用、由于布线间隙、引脚7与引脚8之间没有足够的空间来消耗保护环。
 那么、在这种情况下、如何拔出防护环?
2.如果我需要拉护圈,我是否必须在多层 PCB 的所有层上拉护圈?(外壳) TO-99型带 SMD 电容器)
 或者在放置 SMD 电容器的1层上画出保护环吗?
3、我的项目将以大约64Hz 的间隔访问 LF-198、并以大约45us 的时间进行采样。 压摆率大约为6ns。 然后、是否有必要在我的项目中画防护环?
  在您的数据表中提到了"快速上升时间"、但我不知道"快速上升时间"有多大。
我期待您的回答。
提前感谢您。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Wantae、

    请在下面查看我的答案。

    1.)  如果我将8引脚 TO-99型封装与 SMD 充电电容器一起使用、由于布线间隙、引脚7和引脚8之间没有任何空间来消耗保护环。
     那么、在这种情况下、如何拔出防护环?

    防护环应放置在通道引脚(引脚6)周围、以保护引脚6免受引脚8上的逻辑信号的影响。 您可以使用10引脚布局、如 LF-198QML 数据表的图22所示。 10引脚布局为防护环布线提供了额外的空间。 请参阅以下文章: https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1215568/lf198qml-layout-inquiry-for-to-99?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=LF198QML# 

    2.)  如果需要拉取保护环、是否必须在多层 PCB 的所有层上拉取保护环?(外壳) TO-99型、带 SMD 电容器)
     或者在放置 SMD 电容器的1层上画出保护环吗?

    LF198QML 是一款穿孔器件、因此、为了获得最佳性能、应在所有层上放置防护环。 这将 保护 Ch 引脚在所有内部层上免受逻辑信号的影响。 在顶层、确保保护迹线位于电容器焊盘之间的 SMD 电容器下方。

    3、我的项目将以大约64Hz 的间隔访问 LF-198、并以大约45us 的时间进行采样。 压摆率大约为6ns。 然后、是否有必要在我的项目中画防护环?  在您的数据表中提到了"快速上升时间"、但我不知道"快速上升时间"有多大。

    问题在于数字逻辑引脚上的快速瞬变耦合到模拟信号路径、特别是 在保持电容器上。 这涉及数字逻辑的上升时间、而不是频率或采样率。 我 看到您的观点、即数据表中关于"快速上升时间"的措辞似乎有点模糊、但可以放心地假设任何良好的数字信号都可被视为具有"快速"上升时间。  数据表中提到的数字信号具有最低压摆率、具体请参阅下文。 我们将考虑任何数字逻辑、如果数字逻辑足够快、使器件正常运行、也足够快、从而可能引入数字馈通。 包括防护环将始终提供最佳性能。