[参考译文] OPA828：封装对输入偏置电流的影响

天线、

我将与设计团队核实这一点。  封装材料和模塑化合物会有一些影响、但在室温下、我预计这些数字会很接近。  另外、请注意、我看到在室温下的典型差异为5倍(0.2pA 与1.0pA)、而在最大值上的差异小得多(仅在室温下)。  随温度变化、到器件的规格相同。  我想澄清一下、我们看到的是相同的信息。   

此致、

艺术

参阅数据表第1页-这是客户注意到的、请参阅底部附近的输入偏置：

您好！

也许我错了、但我认为封装样式对 OPAMP 的输入失调电压和输入偏置电流以及依赖于内部电路高对称性的其他规格有影响、例如共模抑制比。

让我向大家稍微介绍一下：多年前当低输入失调电压 FET-运算放大器非常罕见且价格昂贵时、我选择了采用 DIL8封装的 LF356、并手动选择了少数可实现最低输入失调电压(<0.1mV)的运算放大器。 令我意外的是、之后将运算放大器直接焊接到印刷电路板上后、输入失调电压不再小于0.1mV、而是达到了2mV。 事实证明、在手动选择过程中、我将 LF356推入了测试 DIL 插座并对封装进行机械应力测试。 这样一来、芯片似乎就失去了优势、并略微扭曲了导致输入失调电压偏移的原因。 机械应力对芯片上的电路对称性有影响、并且两个输入 FET 不再均匀运行。

半导体上的机械应力也会导致更高的漏电流、因为晶格中的缺陷增加、这可能会增加传导频带中的电荷载体数量。

因此、与"D"封装相比、"DGN"封装似乎更抗扭曲、更有抗弯曲能力、因此采用"DGN"封装的 OPA828可能会显示输入失调电压、输入偏置电流和共模抑制数据的更窄的统计散射。 当然不会太大、因为芯片测试过程中的机械应力比较温和。

只是一个想法

凯

谢谢

只是为了增加我的2美分、由于芯片、引线框和封装本身之间的膨胀比不同、焊接器件会在封装内导致热冲击扭曲/弯曲器件-这主要影响是 Vos 和漂移。  这些是临时移位、对于大多数器件而言、它们会随着时间的推移而自行消失、但在室温下、可能需要几天到一周的时间才能完全恢复。  为了加快此过程、建议将(非偏置)组装的 PCB 烧入高温烤箱以加速应力消除过程。 在100°C 下工作几小时、或在125°C 下工作30分钟、通常会使偏移和漂移 回到其预焊接 条件。  请注意、请确保所有 PCB 组件的额定值都与您计划用于老化的温度相符。