我对 ESD 很好奇。 CMOS 运算放大器是否比旧版双极性运算放大器更容易受到影响? 例如 OP275G (实际上该器件具有 JFET 前端)。
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我对 ESD 很好奇。 CMOS 运算放大器是否比旧版双极性运算放大器更容易受到影响? 例如 OP275G (实际上该器件具有 JFET 前端)。
尊敬的 Quentin:
大多数旧版 FET 运算放大器在输入端根本没有 ESD 保护、对 ESD 来说非常容易损坏。 迄今为止、CMOS 运算放大器始终都配备这类器件、虽然现代 CMOS 运算放大器的芯片结构更小、但由于内部增加了 ESD 保护、它们通常可以承受更高的 ESD。
然而、由于实际 ESD 很容易超过8kV HBM、因此如果输入或输出可以直接接触到环境、添加 TVS、钳位二极管和/或低通滤波电容器等外部 ESD 保护是一个很好的设计实践。 外部 ESD 保护应靠近信号进入或离开电路板的点、并应直接或通过 Y 电容与金属外壳分流。 不应允许 ESD 进入电路并穿过电路板。 使用实心接地层、直接在运算放大器上使用适当的去耦电容、还建议使用带有绑定到金属外壳的360°屏蔽层的屏蔽电缆。 为避免 ESD 穿过电路板、电缆不应位于电路板的另一侧。 此外、最好将有问题的运算放大器稍微远离电路板的信号入口点、以便将其与高 ESD 电流隔离、从而避免"次级 ESD"问题。
曾多次报告它、尤其是在采用非理想 ESD 保护措施(没有金属外壳等)的情况下。 采用具有较高 ESD 等级的运算放大器确实有助于避免 ESD 问题。
凯