我以 xtr111的这一参考设计为基础、 此处、我将从建议的物料清单列表中取出 P 通道 MOSFET 和 PNP 晶体管、但 DigiKey 中提到的材料是缺货的。 您能否在 DigiKey 中推荐需要注意的要求以及库存中的两个组件(如果可能)？
第二个问题、我不会在 xtr111上使用寄存器和 REGF 引脚。 在这种情况下、我是应该将这两个引脚连接在一起还是将它们留空？
您好！
对于 P 沟道 MOSFET、主要问题是漏源极电压额定值(Vdss)和功率耗散、因为该器件将在正常运行期间传导20mA 的电流、或绝对最大值为25mA。 VSP 的绝对最大额定电压为44V、因此我们将选择 Vds 略大于此值的晶体管、以确保实现可靠的设计。 简化的最坏情况下功率耗散为 绝对最大 VSP 电压、绝对最大值为电流、或44V * 25mA = 1.1W。 同样、为了确保设计稳健、我们将选择 额定功耗比此值更高的器件。 在 Digi-Key 上提供此器件、此器件满足这些要求、 https://www.digikey.com/en/products/detail/vishay-siliconix/IRFL9014TRPBF-BE3/12396518
BJT 不会消耗太多功率、主要问题是额定电压。 Digi-key 封装此器件采用 SOT-23封装。 https://www.digikey.com/en/products/detail/toshiba-semiconductor-and-storage/TBC857B-LM/6198767
如果未使用稳压器电压、则将 REGF 连接至 REGS、将470nF 电容器接地、如 XTR111数据表的图45 (a)所示
此致、
察赫
尊敬的 Electronx：
以下是建议用于 XTR111当前 pmosfet 的列表。
可能可以使用 DigiKey 列表、其中一些过于冗长、但您必须在仿真中进行检查。 这些 MOSFET 需要具有低 输入 栅极电容、较低的 Rdson 电阻和相对较低的栅源电压。 Q2晶体管将提供一定的电流限制、因此 pmosfet 会受到一定程度的保护。 如果 PCB 下方没有足够的散热区域、它可能会变热、您可以考虑在 PCB 上使用2oz 铜来改善散热。
例如、这种方法可能可行、但您需要导入 pspice 模型并在 XTR111的仿真中进行检查。
如果您有其他问题、请告知我们。
此致！
雷蒙德
太多了,但谢谢