[参考译文] XTR111-2EVM：输出 MOSFET 选择

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：XTR111-2EVM
主题中讨论的其他器件：XTR111

ı 所需的电路要求

VSP：16-40V
输入电压范围为0-5V
输出电流范围为0-20mA
输出最大负载电阻：600 Ω

SI3459BDV-T1-GE3

我选择这作为输出 MOSFET、但我担心热性能和功耗。这个 mossfet 能满足我的需求吗?

如何找到此 MOSFET 消耗的功率？

0 admin 2 年多前

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您好！

即使只有20mA、在短路事件中热耗散也会高达40V x 20mA = 0.8W、从而导致裸片温度在环境温度范围内为110K/W x 0.8W = 88K。因此、在40°C 的环境温度下、芯片将上升至128°C、这有点过高、尤其是在冷却情况可能会因布局不理想而降级的情况下。

因此、如果必须承受更长的短路事件、我会选择另一个 MOSFET。

凯

0 admin 2 年多前

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您好！

我同意 Kai 的观点、根据应用中的最大电源和最大输出电流要求、在封装和热特性中选择一个 P-FET 晶体管、以便支持不会过热的最大功率条件。以下示例：

XTR111EVM 在 SOT-223封装内使用60V PFET。如果您参阅 XTR111EVM 用户指南第7页上的 XTR111电路板布局布线、应将 P-FET 的漏极(PIN2、引脚4散热器)连接到顶部的一个隔离式铜填充、并连接到底部的另一个隔离式铜填充以实现散热。

谢谢。此致、

路易斯

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