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您好、根据我对该器件参数的了解、我无法获得正确的电阻器值。
我的要求: 当 VMON 介于0V 和 2.4V 之间时、TLV6710配置为窗口比较器、OUTA 和 B 将 OUTA/B 连接在一起"0"。 当 VMON 上升到2.4V 以上时、 OUTA/B 为"1"。 当 VMON 变为高于2.7V 时、OUTA/B 变为"0"。 当 VMON 降至2.6V 及以下时、 OUTA/B 为"1"。 请参阅下面粘贴的图表。
我在您的网站上运行 TINA-TI 仿真并通过实验获得了 R 值、但我无法与我的计算结果保持一致。 大多数混淆都来自、以及这些变量之间的关系:
VIT+(INA)、VMON (UV_HYS)、 VIT-(INA)、VMON (UV)、 VIT+(INB)、 VMON (OV)、 VIT-(INB)、VMON (OV _HYS)。
我想该关系如下所示的数据表:
VIT+(INA)= VMON (UV_HYS)、 VIT-(INA)= VMON (UV )、VIT+(INB)= VMON (OV)、VIT-(INB)= VMON (OV _HYS)。 从9.1.1开始计算("最高精度阈值电压为 VIT–(INA)和 VIT+(INB)、分别与下降欠压标志和上升过压标志对应。")。 关键 是"对应"一词。 请更正我的错误。
此外、数据表中的示例也很令人困惑、尤其是为什么 VIT+(INB)和 VIT-(INA)为0.4V (我在示例要求中没有看到任何内容指向0.4V、我不知道如何推导它)。
这0.4V 似乎与数据表中指示这些值应在窗口范围 VIT+(INB)约26.4V 内、VIT- (INA)应接近21.6V 的多个位置相矛盾(例如、第6节指出当 INB 超过 VIT+(INB)时、OUTB 被驱动为低电平)。
请帮我整理一下、最好根据我的要求显示计算结果。
这是我的仿真的屏幕截图。 我认为它与我的要求不完全一致、但很接近。 计算为我提供的误差要小得多。
Scott、您好、
感谢您的联系。 我理解、要考虑所有变量的影响非常大。 但让我尽量保持简单。
0.4V 是比较器的内部基准。 这是输入与内部进行比较的情况。 但由于已经有大约5.5mV 的内部迟滞、因此 输出切换的点并不总是恰好为0.4V、但可能会稍微偏移5mV、具体取决于您在输入上横穿的方式。 请参阅第7.5节 EC 表中的基准和迟滞规格、以及图20中的时序图、其中显示了输出正在切换。
电阻分压器网络允许您监控较高的电压、然后将其分压到接近0.4V 的内部基准电压。
在进行计算时、V MON (OV)和 V MON (UV)实际上是过压和欠压条件的目标。 V IT+(INB)和 VIT-(INA)可以从 EC 表中获取、在本例中为0.4V。 则 Rtotal、您可以采用较大的电阻值。
如果2.4V 和2.6V 是您的目标 OV 和 UV 条件、并且您选择 Rtotal = 400k Ω、那么您将从公式中得到的值。
谢谢你。 您解释它的方式要清晰得多。 我现在了解了如何通过更深入的分析推导 V IT+(INB)和 VIT-(INA)、但如果可以根据您的声明更新数据表、那将会大有裨益。
至少在9.1.1 APP 信息下、说明 公式(3):
"其中 VMON (UV_HYS)是当 VMON 上升时消除欠压条件的目标电压。 和、其中 VIT+(INA) 等于0.4V "
公式(4)的公式为:
"VMON (UV)是检测到欠压条件的目标电压 和位置 (INA)等于0.4V "
还有一个附带问题、9.3条中的"太小"是什么:
请勿使用过小的上拉电阻、因为输出灌入的较大电流会超过所需的低电平输出电压(VOL)。
我无法将该陈述与计算进行核对、没有足够的信息。 输出引脚电流最大为10mA、这是否意味着要选择足够高的电阻器来防止通过芯片灌入的电流达到饱和? 使用5V 电压轨、5V/0.01A = 500 Ω。 或者这不是附注所说的吗? 我选择了10k 上拉至5V 电源轨、并需要知道我是否需要替换它们。
Scott、您好、
感谢您的反馈。 我们将在数据表中更清晰地说明这一点。
如果上拉电阻器太小、灌入的电流会非常大、这会开始提高 VOL 电平并增加系统的整体功率损耗。 请参阅图14-15了解 输出电压和输出电流之间的关系。 是的、最小值为500欧姆、但是、尽管它可能不会损坏比较器、但会提高 VOL 电平。 通常、我们建议1mA 或更低的灌电流。 10k 上拉至5V 电源很好。
请参阅此应用手册的第3.2节: 用于 LM339、LM393、TL331系列比较器的应用设计指南(修订版 B)
好的。 感谢您的及时帮助。 我用有线方式连接了一个原型、并按预期工作。 谢谢!
Scott