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https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1202326/tlv9354-q1-about-bypass-capacitor-capacity-between-v-and-v--terminals
你(们)好！
V+和 V-端子之间的旁路电容器容量、
数据表似乎建议使用电容值为0.1uF 的电容器。
将该电容器的电容设置为1uF 是否有任何问题？
此致。
否 低阻抗(即小封装和短布线)比准确值更重要。
感谢您的答复。
此 IC 用于10kHz 信号。 应该是多大的阻抗？
如果一个电容器具有较小的封装、则应选择该电容器。 但除此之外、100nF 或1 µF 并不重要。
尊敬的 Keiji：
µs TLV9354-Q1是一款相当快的 OPAMP、并且压摆率为20V/μ s (这是相当大的一个)、因此必须按照数据表中的图10-4所示将去耦电容放置在靠近 OPAMP 的位置。 重要的是、OPAMP 电源引脚处的电感应尽可能小。 这意味着去耦电容应采用小型封装并应在最靠近 OPAMP 的位置连接、同时接地端子应位于实心接地层。
请记住、图10.4中的布局假设在元件层下方的另一层中有一个实心接地平面、并且顶层上的所有接地覆铜和接地填充都通过数十个过孔连接到下方接地平面！ 如果没有实心接地层和过孔、顶层的接地填充会相互隔离！
在大多数 OPAMP 电路中、我使用连接至每个 OPAMP 电源电压引脚的470nF/X7R/0805去耦电容器。 但100nF 和假设1µF μ F 之间的任何其他电容也可以。 但选择采用小型封装的电容器、如0805或 RM5等、不要为此使用大轴向电解电容器或其他恐龙。
这是标准去耦配置。 但在增益非常高的电路(麦克风放大器或 ESLE)中、您可能需要增加去耦电容以改进电源电压噪声滤除。 然后、您可以安装一个 SMD 钽或一个小型铝电解电容器、与此470nF/X7R/0805去耦电容器并联。 从10µF μ s 到100µF μ s 应该这样做。 为了改进电源电压滤波、可将一个10...100R 的小电阻器安装在这些去耦电容器的串联上、以形成一个简单的低通滤波器。
当必须由运算放大器(耳机放大器或 esle)的输出驱动较重的负载时也是如此。 然后、通过上述并联方式增大去耦电容也会有所帮助。 较大的去耦电容器有助于为较大的负载电流提供更大的电容器。 如上所述、也可以添加一个较小的电阻器、以改善耳机放大器与电路其余部分之间的"隔离"。 但是、为了最大程度地减小由于霍尔负载电流引起的电压降、应选择远低于1...10R 左右的电阻器值。
凯
嗨、Keiji、
我通常参考 Tim Claycomb 的以下两篇博客文章：
祝你一切顺利。 Carolina
