大家好、我根据 TI 高精度实验室视频测量了 EVM 板上的输入失调电压和失调电流。 测量电路为两级放大电路。 第一级的输入为零、两级分别放大101倍和21倍。 在 Vos 和 Ib 的联合作用下、测得的结果大于数据表中的模型值计算出的输出电压、而视频中提到的测量值通常小于典型值。 为什么会这样呢？
此外、我想问如何分别测量输入失调电压 Vos 和偏置电流 Ib？ 测量的典型电路是什么？ 非常感谢！
您好、Maggie。
我希望您喜欢 TI 高精度实验室系列视频。 这些 视频是了解运算放大器的重要资源。
Unknown 说：视频中提到的测量值通常小于典型值。 为什么是这样？
对于生成的每个运算放大器、Vos 和 Ib 的精确测量值均表示为高斯分布、如下所示。 数据表中给出的典型值为+/- 1标准差。 根据统计信息、这意味着所有设备中有68%的 测量值 那就是 更少 或 相等 典型规格进行比较。 在视频中偶然测量的运算放大器恰好是 Vos 性能优于典型值的众多器件之一。
Unknown 说：我想问如何分别测量输入失调电压 Vos 和偏置电流 Ib？ 测量的典型电路是什么？
由于 Vos 和 Ib 非常小、因此很难测量高性能精密运算放大器的 Vos 和 Ib。 通常、您的测量设备(DMM、示波器等)的本底噪声或偏移误差大于您尝试测量的分辨率！ 这就是为什么 TI 高精度实验室使用非常高的增益级、以便使用标准设备轻松测量 Vos 和 Ib 误差。
实际的 Vos 和 Ib 测量分别依赖于高增益并校准增益级和测量设备的误差。
例如、下面是一个简化电路、显示了如何使用校准后的增益级测量除 IB 以外的 Vos。
可以使用高阻值电阻器来测量 IB、而 Vos 在最终测量中进行校准。 请参阅下面的简化示例。
谢谢。
扎赫
