团队、您好！
该主题是我之前的帖子 链接的延续。
我们在 其中一个项目中使用了 XTR111。
附录是该演示的原理图。
我们需要模拟电压(0至10V)和模拟电流(4至20mA) 输出。
因此我们使用多路复用器在电压和电流之间切换。
DAC 用于在 XTR111的 VIN 引脚上提供电压。
电阻器复位为2.5K
因此、与20mA 对应的 VIN 引脚上的电压输入为5V。
但当在 VIN 引脚上同时施加5V 电压时、我们仅获得18V 电压、电流似乎会承载负载。
当我们连接500E 电阻时、电流为18mA、当负载电阻增加至1K 电阻时、电流突然降至16mA。
这样做的原因是什么？
e2e.ti.com/.../Analogue-Output1.pdf
尊敬的 Shibin：
在上面的 XTR111原理图中、多路复用器和电路由双极 ±15V 电源供电。 XTR111由+15V 电源供电。
XTR111是一款3线电流变送器、一般建议是将负载电阻参考电流变送器的相同 GND 电位、如下所示。 在推荐的电路下、流经1kOhm 电阻器的20mA 电流将产生20V 电压、 这是不可能的。
XTR111要求 IS 引脚上的最低合规性至少为+(VVSP-2V)。 由于此器件由+15V 电源供电、XTR111引脚上的最大电压需要小于+13V。 在电路中、设计人员还必须留出外部 PFET 晶体管 VSD 电压的余量、大约为~0.2V-0.3V、以及电流路径中总串联电阻引起的压降。 在原理图中、该电路具有额外的串联电阻 R229、R234、R235和内部多路复用器 RON (最大~4.5 Ω)电阻。
简而言之、在由+15V 电源供电且考虑到所需的 XTR111 2V 电源合规性以及涉及的所有 VDS 和串联电阻压降时、XTR111器件只能向低于~Ω 590Ω 的负载电阻器提供20mA 电流。 请参阅以下内容：
请参阅 有关以下链接的 TI 精密实验室教程：
谢谢。此致、
路易斯
尊敬的 Shibin：
感谢您告知我们。 XTR111电流消耗的估算值为器件的静态电流(Iq)加上 ISET 电流和 IOUT 电流消耗：
流耗(大约)= Iq + ISET + IOUT = 550µA (最大值)+ 20mA +2 mA =~μ A 22.55mA
如果 XTR111稳压器上存在任何负载、还必须考虑这一额外的电流消耗。
外部 PFET 晶体管的最大额定功耗为60V 和1W。 在这种情况下,假设在负载短接至地的最差情况下,晶体管上的最大功率耗散将小于15V* 20mA <0.3W ,这是可以正常工作的。 制造商的晶体管数据表提供了有关散热的 PCB 板布局建议。 请确保遵循晶体管制造商的建议。
在布局示例中、XTR111-2EVM 在 SOT23-3封装上集成了 ZXMP6A13FTA P-Channer MOSFET。 如果您参阅 XTR111EVM 用户指南第7页上的 XTR111电路板布局布线、应将 P-FET 的漏极(PIN2、引脚4散热器)连接到顶部的一个隔离式铜填充、并连接到底部的另一个隔离式铜填充以实现散热。
谢谢、此致、
路易斯
