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器件型号:TLV1811-Q1 大家好、
我有疑问。
与开漏相比、推挽式是否会因为快速的电流阱/电流源而发出更大的噪声?
从 EMI 方面来看、该拓扑差异对电路设计是否有很大影响?
此致、
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大家好、
我有疑问。
与开漏相比、推挽式是否会因为快速的电流阱/电流源而发出更大的噪声?
从 EMI 方面来看、该拓扑差异对电路设计是否有很大影响?
此致、
庄家山
感谢您的发帖。 这是一个很好的问题,Clemens 提供了很好的回应。 除了 Clemens 注释外、连接到比较器输出的器件对电源的需求也会受到影响。 例如、如果连接了一个容性负载、但如果不包含额外的串联电阻、则充电或放电所消耗的电流可能会很大。 这对于我们的比较器来说不是问题、但确实对旁路电容器提出了更多要求、以便能够平缓突发的拉电流和灌电流。
克莱门斯,一如既往地感谢你对论坛的持续支持。
卡盘