主题中讨论的其他器件: TLC2652、 OPA182
您好!
我看到的是 TLC2652A 的数据表。 我注意到此器件的架构是 LinCMOS。
似乎即使此器件具有某种"CMOS"工艺、输入偏置也非常低。
我对 LinCMOS 和标准 CMOS 之间的差异很感兴趣。
是否有任何文件描述了以上两项之间的差异?
此致、
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尊敬的 Ryuuichi:
我认为 LinCMOS 这个名称在20世纪90年代早期用于硅栅工艺技术、以便与数字电路所用的传统(当时)金属栅 CMOS 工艺区分开来。 但是、如今所有模拟 CMOS 工艺都使用硅多栅技术、因此它们与旧 LinCMOS 之间的差异很小。
话虽如此、所有 CMOS 工艺都具有非常高的输入阻抗(在1Tohm 的范围内);因此、它们的输入偏置电流 IB 在皮安[PA]或更低范围内。 然而、TLC2652是斩波稳定运算放大器、 它通过使用前端开关来反向偏移极性来自动校正自身的偏移、这样会导致随着时间的推移集成的开关被关闭/打开而产生几个纳秒的 IB 尖峰、从而使 IB 电流在100pA 范围内增加。
零漂移运算放大器包含两种拓扑:
1.斩波稳定型运算放大器如下所示:
2.自动置零运算放大器、其中电容器使用失调电压进行预充电、然后用于校准-请参见下文:
有关更多详细信息、请阅读 下面随附的简短文章。
Machida-San,
在比较 TLC2652和 OPA182输入偏置电流(IB)时、您必须考虑电源电压和工作 温度。
在室温下、两个运算放大器中的 IB 都相当、因为它主要由运算放大器前端斩波操作产生的电流尖峰积分值决定。 但是 、在高温(尤其是高于85°C)下、反向偏置 ESD 保护二极管的泄漏电流决定了 IB 幅度。 由于用于 TLC2652的电源电压仅为+/-5V、而用于 OPA182的电源电压为+/-18V、因此 OPA182的 ESD 保护二极管两端的反向偏置电压高得多、导致高温下的 IB 较高-请参阅下文。