This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TLC2652A:LinCMOS 特性

Guru**** 1101210 points
Other Parts Discussed in Thread: TLC2652A, TLC2652, OPA182
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1254147/tlc2652a-lincmos-feature

器件型号:TLC2652A
主题中讨论的其他器件: TLC2652OPA182

您好!

我看到的是 TLC2652A 的数据表。 我注意到此器件的架构是 LinCMOS。
似乎即使此器件具有某种"CMOS"工艺、输入偏置也非常低。

我对 LinCMOS 和标准 CMOS 之间的差异很感兴趣。
是否有任何文件描述了以上两项之间的差异?

此致、

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ryuuichi:

    我认为 LinCMOS 这个名称在20世纪90年代早期用于硅栅工艺技术、以便与数字电路所用的传统(当时)金属栅 CMOS 工艺区分开来。  但是、如今所有模拟 CMOS 工艺都使用硅多栅技术、因此它们与旧 LinCMOS 之间的差异很小。  

    话虽如此、所有 CMOS 工艺都具有非常高的输入阻抗(在1Tohm 的范围内);因此、它们的输入偏置电流 IB 在皮安[PA]或更低范围内。  然而、TLC2652是斩波稳定运算放大器、 它通过使用前端开关来反向偏移极性来自动校正自身的偏移、这样会导致随着时间的推移集成的开关被关闭/打开而产生几个纳秒的 IB 尖峰、从而使 IB 电流在100pA 范围内增加。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Lis-San、

    感谢您的答复。
    我认为"斩波稳定型运算放大器"和当前"零漂移运算放大器"的意思相同。
    因此、我了解到这项技术可以减少失调电压的变化(保持较低的温漂值)、但没有描述偏置电流。
    根据你的答复,我认为我的理解是有点不正确,但你认为是这样吗?

    此致、

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    零漂移运算放大器包含两种拓扑:

    1.斩波稳定型运算放大器如下所示:

    2.自动置零运算放大器、其中电容器使用失调电压进行预充电、然后用于校准-请参见下文:

    有关更多详细信息、请阅读 下面随附的简短文章。

    e2e.ti.com/.../Vos-Internal-Calibration.pdf

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    感谢您的回复和发送文档。
    现在、我比较一下 TLC2652A 和 OPA182。 如您所述、TLC2652A 的最大 IB 为100pA (150pA)。 但是、OPA182的最大 IB 为"nA"(7nA)级。
    从您的文档中可以看出、OPA182的最大 IB 期望 TLC2652A 具有更大的阻值、但实际上是不同的。
    是否为预期结果?

    此致、

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Machida-San,

    在比较 TLC2652和 OPA182输入偏置电流(IB)时、您必须考虑电源电压和工作 温度。

    在室温下、两个运算放大器中的 IB 都相当、因为它主要由运算放大器前端斩波操作产生的电流尖峰积分值决定。  但是 、在高温(尤其是高于85°C)下、反向偏置 ESD 保护二极管的泄漏电流决定了 IB 幅度。  由于用于 TLC2652的电源电压仅为+/-5V、而用于 OPA182的电源电压为+/-18V、因此 OPA182的 ESD 保护二极管两端的反向偏置电压高得多、导致高温下的 IB 较高-请参阅下文。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Lis-San、

    很抱歉我迟到了回复。
    起初,我想,即使输入拱是相同的,为什么这种巨大的差异出现. 但 我几乎理解原因。

    如果用户将使用与 TLC2652A 相同的 VDD (+/-5V),OPA182的 IB 规格是否将接近 TLC2652A?
    (通常、哪一个小型 VDD 或大型 VDD 会成为小型 IB 规格?)

    此致、

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Machida-San、

    一般而言、较低的电源电压会使输入 ESD 保护二极管上的反向偏置泄漏电流降低、从而使 IB 降低。  在温度范围内、我没有+/-5V 电源上的 OPA182 IB 幅度、因此我无法告诉您它将具有什么确切的幅度、但我可以确定它将远低于数据表中列出的+/-15V 条件下的 IB 幅度。