我用一个 INA199B3DCKR 来测量通过1欧姆电阻器的电流、电流在0到120mA 之间变化。
我已确认我将获得1欧姆电阻器上的预期压降、但 INA199的输出始终为0.03V。
IN+为~24V、IN-为~23.88V。 IN+和 IN-都偶尔会降至0V。 这是我的问题吗?
基准引脚连接到0V
芯片的布局如下所示。
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
嗨、Michael:
感谢您在论坛上发帖。 我希望我们能解决这个问题、让您可以回到工程设计部门。
当输入下降到0V 时、最好多次测量输入引脚电压(IN+到 GND 引脚、或 IN-到 GND 引脚、尽可能靠近引脚探测)、以确保电压不会下降到-0.3V 以下、 这会导致器件损坏。 请尽可能使用较小的时间刻度、以便获得该快速瞬变电压的最佳分辨率。
需要检查的另一件事(如果输入电压不指示任何内容)是 INA199 GND 和系统/电路板接地之间是否有明显的阻抗。 您只需测量 INA199 GND 引脚和系统/源极接地回路之间的电阻。 您也可以使用差分电压探头、并测量在这些偶尔的输入引脚下降到0V 期间是否出现任何显著的压降(<-0.3V)。
当输入 VCM 降至0V 时、系统会发生什么情况?
输出是否即使在下电上电时也仍然卡住?
测试了多少个器件或电路板?
您检测到多少次故障?
此致、
彼得
嗨、Michael:
是的、这必须是其中一个选项(将其从低侧切换到高侧)。
其他选项包括:
1.在输入引脚到接地端插入钳位肖特基二极管以将输入引脚钳位到其正向电压、但这样做很困难、因为它需要小于0.3V。
2.另一种选择是在输入引脚处使用限流电阻器来限制内部 ESD 导通电流,因为该电流会在这些电气过载情况下产生破坏性热量。 有必要将电流限制为小于5 mA。 假设电压可能会降至-1V、获得正确 Rprotect 的快速计算结果为1V/Rprotect 5mA = 200 Ω。 实际上、公式应为1V-Vf_bodyDiode、因为 ESD 单元的内部体二极管会产生某种正向电压、但通常较小且无法预测。
但是、在输入引脚处插入这些200欧姆电阻器将衰减总分流电压增益。 您可以参阅数据表的第8.4.1节来计算新增益。
此外、增益误差(以新的衰减增益为中心)将显著增加+/- 0%、因为器件的内部电阻器会因工艺变化而变化+/-25%。 有关如何计算新误差、请参阅此处的视频和培训 pdf。
https://www.youtube.com/watch?v=hLGN_wl-xgA
https://www.ti.com/video/series/precision-labs/ti-precision-labs-current-sense-amplifiers.html
此致、
彼得