[参考译文] INA190：瞬态保护和布局

尊敬的工程师：

绿色元件仅是简单的整流二极管(采用"串联对"封装)。 这样做的原因是您只需要为 IN+引脚和 IN-引脚使用其中一个变压器(而不是为每个引脚使用两个变压器)。 这是可行的、因为如果 IN-引脚电压大于42V、则 IN+引脚也将被钳位、因为其中一个二极管将变为正向偏置、反之亦然。 我在上一篇文章中推荐了这种串联对二极管封装： https://www.digikey.com/en/products/detail/skyworks-solutions-inc/SMS7621-006LF/2052129

用户指南中的图7显示了底层的 INA190EVM 接地层。

理想情况下、所有集成电路都应具有较大的接地平面(以及电源平面)。 这在理论上始终有助于尽可能减少电源引脚的寄生阻抗、并提供噪声保护等其他好处。 对于需要大量开关电流的电路尤其如此。 INA190是低功耗器件、因此进入 VS 引脚和离开 GND 引脚的寄生阻抗不是太重要。 该 EVM 的设计时要记住、实际上、设计人员无法始终提供较大的接地平面、也无法在没有这些平面的情况下提供展示性能的机会。

总体而言、您只需确保 INA190的接地回路迹线不长/薄/感性、并返回低阻抗和稳定的接地。 INA190 OUT 的下行信号测量也应连接至同一接地端、以最大限度地减少接地电平偏移。

此致、

彼得

嘿 Jhon、

最佳选择取决于您在系统电压浪涌期间需要消耗的能量 D3 (反向直流电流)和 D5 (正向直流电流)。

最大电流/功率额定值显示在各种 IEC 标准的绝对最大额定值表中。

但是、如果您要连接到钳位直流电压、则需要将 D3反向电流限制为10 mA (请参阅上表中的 IBR 规格)。

使用下面的原理图、在理想情况下、您希望 Rprotect 尽可能低、以避免因流经 Rprotect 的反向漏电流而产生输入失调电压误差；但是、如果需要、您需要 Rprotect 来限制二极管反向电流。  TVS2700反向泄漏电流相当低、但 INA190失调电压也非常低、因此应仔细选择该值。 泄漏造成的近似偏移误差(在下面的原理图中)为 Vos_leak = I_lead * Rprotect。

RF 在这里只用作一个输入滤波器、但是它不会导致二极管泄漏偏移误差。 缺点是您的 BOM 中还需要两个无源器件。

此拓扑中射频的另一个优势是、它在负电压条件(VBUS <-0.3V)下向 INA190输入引脚添加了一些额外的保护、其中瞬态电压在-600mV 左右变为正向偏置。

如果您不需要任何差分分流电压滤波(有噪声的负载电流)、或者系统将不会出现负电压浪涌(VBUS <-0.3V)/

无论选择何种拓扑、CF 都应始终尽可能靠近 IN+和 IN-引脚放置。

希望这对您有所帮助。

此致！

彼得