主题中讨论的其他器件: INA232、 INA234
您好!
我的客户希望使用 INA220进行电压检测。
如果器件设置为0~16V 而实际输入电压为0.1381V、您能告诉我 INA220A 和 INA220B 之间将发生多大的测量误差差异吗?
他们说、仅通过数据表预测测量误差并不容易。
谢谢你。
JH
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嘿、JH、
不用担心,我本应该进一步阐述。 我理解这很难看到会是什么。
VBUS 失调电压并非直接规格、VBUS 失调电压将是 VBUS=0.1381V 时的主要误差源。 我已经重新计算出3.3V 和5V 电源电压的偏移规格为8mV 和20mV 的误差、以及0.10%的增益误差。 根据这些曲线、3.3V 电源下0.1381V VBUS 的误差将为5.81%。
我使用了图5来估算典型的 VBUS 失调电压值。


希望这对您有所帮助。
此致!
彼得
尊敬的 Peter:
客户仅更换了一个电路板上的 INA220、并检查了上面的0.1387V 电压输入。
测试结果如下。
|
VBUS 值(V) |
总线电压寄存器(BRNG=0) |
计算(位[14..3]* 0.004)(V) |
容差 |
|
|
INA220 1号 |
0.1387 |
14A |
0.164 |
18.2% |
|
INA220 2 |
0.1387 |
132 |
0.152 |
9.6% |
发生的误差高于预期的5.81%的误差。
哪些因素可能导致实际测量结果的误差高于预期?
上述测试仅在相同外部条件下更改了器件。 是什么导致误差发生很大变化、具体取决于 INA220器件、即使外部条件相同也是如此?
谢谢。
JH
尊敬的 Peter:
以下是客户回复。
-三个 INA220在一个板内使用,并将 Paux_VDET 连接到不同的外部模块(外部模块是同一个设计产品)。-由于检查了多个产品,错误发生点并不恒定。 VBUS 失调电压的特性是否会因器件而异? 还是与外部环境有关?
(例如、3.3V 电源特性(纹波等)、VDET 信号的纹波特性等)
谢谢。
JH
嘿、JH、
如数据表曲线图中所示、VBUS 偏移肯定会随 VS 而变化。 还要记住、您要在输入引脚处通过10K/1k 电阻分压器添加-0.31%的增益误差。 0.31%= 1 - REFF/(320k+REFF)、其中 REFF = 10k||1k、320kΩ 是 VBUS 引脚的输入阻抗。 如果内部320k 的变化量为-10%、则误差很容易达到0.35%(可能会在工艺变化范围内达到+/-20%)。
我会再次检查电压表的精度、并确保它在 INA220的 VBUS 引脚和 GND 引脚处进行探测、以便将读数与数字测量进行比较、从而获得更准确的读数。
如果在交换器件位置时看到偏移跟随器件、那么您就知道器件是否必须具有某种偏移。
除此之外、该器件没有最终测试屏蔽的 VBUS 失调电压、也没有总线失调 PSRR (电源抑制比)规格。 因此、未严格控制 VBUS 失调电压、可能存在25.1mV 失调电压=(18.2%)/0.1381V。 此外、VBUS 失调电压可能与 VS 成反比。
唯一筛选的 VBUS 误差规格是 VBUS=12V 时的误差、但此时偏移误差将被否定、并且误差将由增益误差主导。
如果需要在低 VBUS 下实现高精度、则可能需要考虑切换到具有 此规格的电源监控器、例如 INA234或 INA232。
https://www.ti.com/amplifier-circuit/current-sense/digital-power-monitors/products.html
此致、
彼得
尊敬的 Peter:
感谢你的帮助。
客户有如下其他问题。
因此、VBUS 偏移不受严格控制、可能存在25.1mV 偏移=(18.2%)/0.1381V。 此外、VBUS 失调电压可能与 VS 成反比。 [/报价]问题1: 您能否告诉我们、他们在哪里可以找到25.1mV 失调电压源?
问题2. 上述"有可能存在25.1mV 偏移"是否意味着偏移电压可以瞬间变化至25.1mV? 还是某些器件可能具有25.1mV 的失调电压?
Br、
JH