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我们的一个设计使用了 INA201AQDGKRQ1、其中 Vin+和 Vin-端子连接在1R 分流电阻器上。 在我们的内置测试期间、没有电流流经分流器、并且芯片由12V 供电。
在内置测试期间 、我们 以 GND 为基准测量 Vin+和 Vin-端子的电压、以确保它与电路其他部分隔离。
在流经分流电阻器的零电流期间、Vin+和 Vin-上是否有电压容差记录? 或者、是否有泄漏电流值?
请参阅随附的电路片段。
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我们的一个设计使用了 INA201AQDGKRQ1、其中 Vin+和 Vin-端子连接在1R 分流电阻器上。 在我们的内置测试期间、没有电流流经分流器、并且芯片由12V 供电。
在内置测试期间 、我们 以 GND 为基准测量 Vin+和 Vin-端子的电压、以确保它与电路其他部分隔离。
在流经分流电阻器的零电流期间、Vin+和 Vin-上是否有电压容差记录? 或者、是否有泄漏电流值?
请参阅随附的电路片段。
嘿 Patrick、
当然、很遗憾不清楚。
有共模输入偏置电流(IBcm)、有感测电流(Isense)。 当没有分流电压(无 Vsense)时、IN+和 IN-引脚上的输入偏置电流将相等、但会因输入共模电压(Vcm)而变化。 IBCM 将变为负值、VCM 为负。 当 Vcm < Vs 时、IBcm 可能会略有漂移。
当 Vsense > 0mV 时、IBP 将增加、IBN 将保持不变。 总公式为
IBP = IBcm + Isense
IBN = IBcm。
其中 ISense 约为 VSSENS/6k Ω。
希望这是合理的。
此致、
彼得
尊敬的 Peter:
再次感谢。
在某些背景下、我对整个电路进行了仿真、以尝试获取内置测试期间我们正在读取的"零分流电流"电压值。 在 IN+/IN-端子上使用~0uA 偏置电流值、可获得与大多数器件接近的电压值、即~0.5V。
但是、有些器件向上浮至大约0.7V。 我们认为这是 INA201芯片上的差异导致的、因为这个电阻器被替换了、电压降低了。
通过在 IN+/IN-上使用+3uA 的电流源进行仿真、可以得出这个0.7V 的电压值。
数据表指出最大最坏情况为16uA、所以假设这是最坏情况。 请参阅下面的代码段、了解我如何完成该操作。
这种采用2个相等电流源的方法是否正确、假设检测电流为0A?
尊敬的 Peter:
假设 Vcm 是 Vin+和 Vin-之间的平均电压 恐怕我没有这些错误单位的数据。 我完全无法想象这是什么。 可能在 UV 范围内。
如前所述、我们会看到一些单元在测试期间在输入上具有更高的电压。 如果我 在两个端子上施加1.5uA - 2uA 的拉电流(提升约100-150mV)、我可能会在仿真中引发此问题。
当我们用库存中的另一个器件替换发生故障的器件上的 INA201芯片时、电压会降低回其"正常"值。 这就是为什么我相信有些芯片可能会拉电流、虽然电流不是很多!
这些芯片是否可能有这种拉电流变化?
嘿 Patrick、
VCM 近似值是多少? 输入是否悬空? 它们是由于负载断开而通过某种电阻接地的?
如果输入未连接到某些低阻抗源、则会像悬空一样工作。 每当放大器输入引脚悬空并且没有输入偏置电流的接地返回路径时、输入电压就会漂移。 如果存在接地路径(通过禁用的负载)、但具有高阻抗路径、则输入仍将漂移、但仅上升到某个点。
我想正在发生的情况是输入引脚本质上是悬空的。 如果将输入引脚拉(弱)至接地,则 IB 将接近负值,如果不是负值(IB 从输入引脚拉出电流)。 这是因为当 Vcm < Vs 时、Vs 和 Vin 之间有一些电流路径。因此电流来自 Vs、到 Vin+/Vin-以及总线和接地。 这种情况会一直持续到 Vin+约等于二极管压降为止、此时漂移应该停止。
我不希望 IB 接近-16uA、因为您的 VCM 不会变为-16V 负值、但您可能必须将其用作上限并使用此值模拟条件。
此致、
彼得
尊敬的 Peter:
认为我之前提供了错误的数据。 我将 Vcm 除以 VIN+和 VIN-之和2、通常约为500mV。
当没有电流流过分流电阻时、VIN+和 VIN-应几乎相同的电压。 在这条线路上有一个带多个电阻分压器的5V 电压源、这导致了这个500mV、但并不是很强的接地下拉电阻。
在我看来、该弱下拉电阻导致在输入引脚上提供电流、并且电流大小似乎因芯片而异。 每个端子上基于 SIMS 的3uA 拉电流会将电压从500mV 升高到700mV。 有一些真实的证据表明、替换芯片后 电压降回到了标称500mV。
目前、我们已经选择了1V 的上限、根据仿真结果、从输入端子拉取电流大约为10uA。
感谢您对此提供的所有帮助!
帕特里克