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[参考译文] TLV7032:电气特性插值

Guru**** 1139930 points
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https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1335709/tlv7032-electrical-characteristics-interpolation

器件型号:TLV7032

在 TLV7032数据表中、我们在第6.9节"电气特性(双通道)"表中看到、其中提供了在某些测试条件下的最小值、最大值和典型值。 其中许多测试条件涉及向 TLV7032比较器提供5V 电压。 但是、比较器能够通过1.6V 至6.5V 范围内的任何电压供电。 在我们使用它的电路中、我们使用3.3V 电压为器件供电。 对于 VOH、VOL 和 ISC (短路电流)等参数、我们如何确定电源电压为3.3V 时该特性的最小值或最大值? 我们是否能够从为5V 电源电压提供的值中内插这些值? TI 是否可提供任何支持此讨论的文档? 例如、双器件的 VOH 最小电压为4.65V、电源电压为5V。 那么、对于3.3V 电源电压、最小 VOH 是否为3.3/5*4.65 = 3.07V?  

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    如果在电气特性表中未指定该值、则无法保证一定值。

    您可以从图6-18…6-25中获得典型值。 MOSFET 的 RDS (on)取决于栅源极电压、因此驱动强度随电源电压降低(不一定以线性方式)。

    在5V 时、最坏情况下的输出阻抗为(VCC−VOH)/IO =(5V−4.65V)/ 3 mA≈117 Ω。3.3V 时的典型驱动强度大约是5V 时的一半、 因此、我们可以估算 VCC− IO×R ≈3.3V−3 mA× 233 Ω= 2.6V 时的最坏情况。(但您不会在3.3V 下使用3 mA 负载。如果电流变得过大、 晶体管饱和、RDS (on)不再恒定。)