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器件型号：LOG200 您好、团队成员：
我有几个问题、如下。
1) 如何设置 RBIAS： 描述了将 IBIAS 用作降低漏电流影响的措施。 通过 IPD 电流的0.1倍到 RBIAS、可以抑制施加的 PD 电压、降低泄漏电流的影响。 我想测量的 PD 电流波动范围为822uA 至46.2nA。 请告诉我如何设置 RBIAS 的电阻值。
2) 2) 适合使用单电源(+5V-0V)：在检测到 I1输入电流介于822uA 和46.2nA 之间的情况下、猜测有必要将内部偏移增加0.5V 或更多、 因为特征图中的 OUTA 变为负值。 通过将 REFA 和 VCM 连接到 REF165可实现1.65V 的失调电压。 是这样吗？
3) 关于温度特性： 使用一个晶体管来实现来自器件内部电路的运算放大器反馈。 该晶体管(hfe)具有温度依赖性。 如果您在输入相同的 IPD 时有任何包含 OUTA 变体的数据、这有助于共享该数据。 (存在一个问题、即工作温度会指数级波动。)
提前感谢。
