[参考译文] XTR111：限流 PNP 晶体管选择

尊敬的 Tomasz：

Unknown 说：

我仍然不确定如何选择需要的 PNP 晶体管来限制电流。

图37a 中 PNP 的选择的电流限值约为37mA。 15Ω* 37mA = 0.56V 将正向偏置发射极和基极并导通 Q1并将 Q1的栅极拉至高电平以保护 Q1 NMOS。 您应该选择能够在 Q1导通时耗散功率的 PNP。 或使用2N2907 BJT。  

Unknown 说：

是否至少有任何半官方指南？

请参阅上面的段落以及如何选择外部 MOSFET 的指南。

如果您有其他问题、请告诉我。  

此致！

雷蒙德

您好 Raymond、
感谢您的答复和 TINA 文件。 我研究了这些文档、我了解该限流器的工作原理-它实际上非常 简单。
我仍然问这个问题的原因是、我遇到了描述此配置的电流泄漏问题的帖子。
我试着更好地理解为什么  建议使用2N2907晶体管。
哪些特定的特性/特征使其非常适合？ -除了最大值 ofc.
您是否可以说 R6设置的 ILIM 值应该(即)比 ISET 高10%、以避免由非完美 PNP 晶体管类似 VEB / IB 二极管的特性导致的泄漏？
我是否正确地猜测、  应该使用具有急剧弯曲的 VEB / IB 特性但随温度变化不大的晶体管？
这些是我要寻找的一些指导原则。

尊敬的 Raymond、谢谢、没错、在我看来、集电极截止电流(ICEX) @ VBE = 0.5V 它的热稳定性是我需要特别注意的参数。 大多数晶体管规范不提供该值、但至少 DigiKey 允许按收集器切断进行搜索(Mouser 不提供)。  本主题 提到 MMBT2907A 是 ICB0=10nA 的一个很好的替代 方案、这让人们有望实现低 ICEX -对于 Diodes Inc 产品、它为50nA、他们指定了该值、而 NXP 没有。
 2N2907 晶体管的问题是它很大很昂贵、有时非常昂贵。
图37b 和两个 PNP 晶体管限制器的情况大相径庭-我的首选项是简单性和较小的 PCB 面积、因此这是第二个选择。

我希望这个简短的总结能够帮助贯穿这个主题的所有人。