工具与软件:
嗨、TI 专家!
我们设计了一个开关电路、其中 MOSFET 采用高侧配置、电流测量电阻(分流)位于低侧。
我们在锁存模式下使用 INA302。
我们将根据需要设置 RLIT 电阻器值、当发生超出范围的情况时、Alert1变为低电平、并作为中断连接到 MCU。 因此、使 MCU 能够控制 FET 的释放、即导通 FET。
Alert2引脚通过与门直接控制栅极驱动器、以实现独立于 MCU 干预的保护。
与门用于使 MCU 和 INA302能够独立执行操作。
Cdelay 电容器根据短路事件检测的要求设置为150us。
我们想知道此配置是否能够按预期工作、或者原理图中是否存在任何潜在缺陷。
请求您对相同问题的宝贵答复。
谢谢、此致
Ibrahim
e2e.ti.com/.../32_2700_S_5F00_BMS_2D00_Gate_5F00_Driver_5F00_Current_5F00_Sense.pdf