工具与软件：
您好！
我将设计一个必须承受150V 瞬态的数字输入电路。 工作温度范围为-40至+85摄氏度、需要低功耗(低于10 µA)。
附了原理图和仿真。
e2e.ti.com/.../comp_5F00_input.TSC
您能否验证电阻值是否适合所需的应用、或者它们是否太大？
此致。
您好！
当反馈电阻器(R5)更改为1MEG 时、仿真结果会变得奇怪。 仿真结果随附。
导致此问题的原因是什么？
此致。
您好、Ho、
Excel 工具结果随附、
我对这款设计有几个问题。
我们的设计中没有 R1电阻器、我们可以忽略它吗？
在130V 输入下计算出2-RA 和 Rb、但 IC 是否能够耐受 ISO7637-2脉冲3b 瞬态？
由于存在7mV 的内部迟滞、我们是否可以在没有1MEG 正反馈电阻器的情况下运行电路？
此致。
尊敬的 Egemen：
1. Excel 工具的计算是在考虑 R1的情况下进行的。 忽略它可能会导致迟滞值与输入的值发生偏差。 您必须在 R1 = 0时进行计算、以验证忽略它是否可以接受。
2.为避免损坏 TLV7031、您需要确保器件承受的电压、电流和温度处于绝对最大值表中的值范围内：
3.这取决于系统要求。 如果7mV 内部迟滞典型值足够大、则无需使用分立式电阻器来实现外部迟滞。
您好、Ho、
在输入侧、我们的分压电阻为1.3Meg 和33k、因此迟滞应为(R1/R2 * int 迟滞)、在我们的示例中约为(39.3 * 7mV = 275.75mV)、正确吗？
如果275mV 迟滞正确、则足以满足设计要求。
此致。
您好、Ho、
数据表第27页中有一段关于迟滞的段落。
"首先、选择要实现的目标迟滞范围。 对于此设计示例、50mV 的迟滞将是目标。 由于 TLV7032的内部迟滞已为10mV (典型值)、因此 TMR 旋转传感器的电压输出应按比例缩小5倍。 这样、10mV 的内部迟滞会按系数5向上扩展、从而产生50mV 的迟滞。"
上一个问题的信息、情况不是这样吗？
