[参考译文] INA129：INA129数据表修订版 F 澄清

您好、SG：

请参阅下面我对前两个问题的回答。

1.) 修订版 E 数据表上是否存在错误、正常情况下不是已经达到最大值的0.1%吗？

是的、修订版 E 显示了最大增益误差的错误值。 版本 F 更正了此拼写错误以显示正确的最大增益误差。

2.)  图7-9. 静态电流与温度间的关系：单位2 (红色曲线)是否是静态电流？  

我相信大家都知道、在我们更新为新的300毫米工艺时、有一个适用于 INA129的 PCN。 单元1 (黑色曲线)显示先前 工艺器件的 IQ 与温度间的关系。 器件2 (红色曲线)显示了新工艺器件的 IQ 与温度间的关系。

对于其余问题、我已经联系了更新数据表的工程师以及特性评估团队。 遗憾的是、一些关键团队成员 目前不在办公室。 我将继续 对此进行研究、并在收到团队反馈时及时向您通报最新情况。

谢谢！

Zach

尊敬的 Zach：

感谢您的答复。

我正在等待团队成员和工程师回答接下来的问题。

我还有一个有关 SR 的问题、请找到我的新问题(和旧问题)

3-图7-10. 输入过压 V/I 特性：在修订版 E 中、 表示 G=1000时的输入电流。 在我们的示例中、最大增益低于50、您能否在输入电压低于 Vcc/50 (15/50=0.3Vmax)的情况下提供输入电流。 是否可以在 G=10和100的情况下获得输入电流的表示？

4-建立时间：我注意到、与修订版本 E (现在的670kHz 与700kHz 相比)相比、修订版本 F 中只有 G=10时的带宽较低。 新的图7-1. (增益与频率间的关系)似乎也更准确、符合§7.5表中的值。 然而、如果其他增益的带宽没有变化、为什么(G=1/10/100)的所有稳定时间在12µs 处都会增加？  WAT 是否为稳定时间条件(输入振幅等)？  

5- SR：在 µs E 中、 当 G=10时、压摆率为4V/μ s。  数据表版本 E 中的图20确认了该值。在版本 F 中、为什么负与正 SR 不同(见图7-21或7-22)？  在修订版本 E 和修订版本 F 之间的芯片上是否存在某些变化、此处为(输出级、米勒电容？) ？ 此外、在 rev F 中、G=10和 G=100之间的压摆率看起来是等效的(图7-21和7-22)、您能否确认一下确实是这样？ 您是否有一些数据在温度和最坏的情况下 请?

5bis- SR：您是否有一些 SR 的数据处于+/-5V 以及最坏的情况(在25°C 和温度条件下)？ 它是否是单调的、哪个温度/电源电压最差？ 我们需要有关此 SR 参数的最大信息(+/-15V 和+/-5V)

此致、

SG

您好、SG：

我找到了更多的信息。

3.)  图7-10. 输入过压 V/I 特性：在修订版 E 中、 表示 G=1000时的输入电流。  您能否在输入电压低于 Vcc/50 (15/50=0.3Vmax)时提供输入电流。

数据表的修订版 F 中的图7-10显示了 过压 G = 1的条件。 如果您的 输入电压最大值为300mV、则不会触发输入过压情况。 在这种情况下、输入电流就是放大器的输入偏置电流。

4.)  稳定时间：我注意到、与修订版 E (现在为670kHz 而不是700kHz)相比、修订版 F 中只有 G=10时的带宽较低。  然而、如果其他增益的带宽没有变化、为什么(G=1/10/100)的所有稳定时间在12µs 处都会增加？  请了解稳定时间条件(输入振幅等)？  

修订版 F 中的 G=10带宽稍低、因为 新芯片不会在 G=10时表现出增益峰值。 请注意、当 G = 1时、新器件仍表现出一定的增益峰值。

建立时间不同的原因在于输出级(特别是输出阻抗)的差异、而不是带宽差异。 所有增益的条件均为10Vppk 输出阶跃。

5.) 为什么负与正 SR 不同(见图7-21或图7-22)？  在修订版本 E 和修订版本 F 之间的芯片上是否存在某些变化、此处为(输出级、米勒电容？) ？ 此外、在 rev F 中、G=10和 G=100之间的压摆率看起来是等效的(图7-21和7-22)、您能否确认一下确实是这样？

μs 特性表中给出的1.2V/μ s 压摆率适用于负压摆率。 μs 压摆率约为2.2V/μ s。 这种不对称的压摆率对于所有增益都是一致的、并且受输出级的限制。

我目前正在查看过热信息。 我不确定我们是否有您要求的特定数据、但如果有、我应该能够通过电子邮件共享这些数据。 我现在将关闭该主题、并通过电子邮件向您发送快速跟进。

感谢您的耐心等待、我将继续研究这个问题。

此致！

Zach