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器件型号：OPA140 工具与软件：
您好！
我们正在开发一种与高阻抗传感器连接的非常敏感的放大器。
我发现数据表和仿真模型不包含电流1/f 噪声。
我们需要确保1/f 电流噪声不会在我们的应用中引起问题。 是否有关于1/f 电流噪声的任何测试数据？
谢谢！
通常、仅针对电流噪声幅度较大且具有闪烁(1/f)区域的器件给出了电流噪声与频率间的关系图、就像双极输入晶体管运算放大器的情况一样。 闪烁噪声据信是由 p-n 结等两种材料的接口之间随机捕获和释放的电荷载流子引起的、因为在 CMOS 和 JFET 输入晶体管运算放大器中、低频电流噪声来自 ESD 结构输入漏电流或任何其他半导体结的散粒噪声、因此它在低频时不会增加-请参阅下面的。 因此、 CMOS 和 JFET 输入运算放大器(如 OPA140)中的低频电流噪声是平坦的、可以使用以下公式计算得出： inoise=sq-rt (2qIb)。
除非源阻抗非常大、否则极低的电流噪声不会影响整体噪声性能。 在电流√为1fA/ GΩ Hz 的情况下、源电阻需要大于16.5k Ω、以便电流噪声对总噪声产生重大影响。 对于 CMOS 和 JFET 器件、在较高频率下、电流噪声通常会增加。 电流噪声的增加称为 f 平方噪声。 不过、源阻抗较高的电路将带宽限制在电流噪声开始增加的频率以下。 该带宽限制倾向于抵消 f 平方噪声的影响、以便总 RMS 噪声不会受到 f 平方噪声的显著影响。 有关此主题的更多信息、请参阅以下链接下的应用手册：
