工具与软件:
我想为具有1nF 和200MOhms 以及30V 偏置电压的传感器设计一个电荷放大器。 传感器电流以1 mA 为中心。 这是我现在拥有的电路:
我的输出很奇怪:
我测试了多个参数以获得更好的输出、但没有成功。 对此有何改进建议?
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Daniel、您好!
我和 HSAMPS 团队将为您解决此问题、我很抱歉之前没有回复您。 我们的项目优先级变更和团队成员不在办公室。
为了帮助澄清和理解、您是否将 OPA357用作 SiPM (硅光电倍增器)的跨阻放大器(TIA)?
我们提供了 OPA85x 分立式 TIA 系列以及适用于光学应用的集成式 TIA (LMH3240x 和 LMH34400)。 这里的 OPA357也许就足够了、但我想在我们设计解决方案的过程中为您提供一些想法。
此致!
ALEC
Daniel、您好!我跟踪您的帖子希望了解 TI 同事对您选择的运算放大器的看法。 很遗憾 Alec 很忙、但也许我可以让我们更接近解决方案。
由于 SiPM 与运算放大器交流耦合、因此放大器不会产生2kV 信号。 这是一个电荷敏感型放大器、而不是 TIA、因此仿真结果也非常有意义。 我不确定5us 的起始电 容差;可能 OPA357不够快、无法在该时间段内集成足够的电荷并在电容器上获得一些有意义的电压、但之后您会看到典型的集成电阻梯。 电荷敏感放大器中的1MEG 电容器不用于将电流转换为电压、而是用于使电容器放电。 由于耦合电容 C8、没有电流流入运算放大器。
您的原理图经过一些修改、非常适合测量平均 SiPM 信号。 如果您添加一个在 Vout 达到1V 等情况下重置电容器的电路、则可以连续测量充电速度、这可以很好地反映传感器随时间推移的平均电流。
但是、如果您希望检测光脉冲并期望看到具有指数放电尾的典型 CSA 信号、则需要减小电阻器的值。 从50k (RC 大约50us)开始是合理的、但这取决于您的目标和运算放大器稳定性。 或者、您可以更改输入信号的占空比、以便有足够的时间让 C8通过1MEG 电阻放电。 可能需要一段时间...
也许我们可以让 Alec 继续他的良好提议、为 TINA-TI 构建 SiPM 模型? 这实际上可能让每个人都能更好地了解 TI 的哪种运算放大器最适合该应用。
不管怎样,我希望这有助于和我的道歉,如果你发现我的评论有任何缺陷。
BR、
A
您好、Alex、
此 Broadcom SiPM 非常适合我们的应用:
另外还有常见问题解答:
Daniel、我同意、 AFBR-S4N44P014M 也是我的选择。 如果 Alec 能够为该芯片提供型号、将不胜感激。
具体来说、关于 OPA357、我最大的问题是在您的仿真中、在前5us 中不集成电荷。 这是一个很大的差距... 如果将 R1替换为 ON/OFF 开关、它可能会消失、但实际上在很大程度上取决于您将准确测量什么。 如果您需要低至单光子级别的灵敏度、那么您可能需要速度更快的解补偿运算放大器、这本身就是一个挑战。 此外、此类 CSA 还很难获得合适的值、因为 您需要非常严重的 EMI 屏蔽。 您的放大器将受所有可能源噪声的影响。 为您的运算放大器挑选电源就比较棘手。 如果您有足够的光线可供使用、那么您最好使用 TIA 和某种峰值与保持电路、就像 Alec 首先建议的那样。 中间的某个位置可能具有用于充电敏感放大器的最佳位置。 希望我们可以借助 TI 的帮助了解更多信息。