[参考译文] INA239：Vos (分流失调电压)是否恒定？

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https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1410993/ina239-is-vos-shunt-offset-voltage-constant

器件型号：INA239

工具与软件：

您好、TI 支持团队；

我们看到测量的分流电压具有较小的偏移。对于给定的芯片、此偏移的幅度是否应该是恒定的(根据 dVOS/dT 只会有很小的变化)(预计会发生 Vos 的一些卷带到卷带和芯片到芯片的可变性)？

我们正在经历一个小偏移(大约3-4倍 LSB)、该偏移仅在 VDIFF (分流电压测量(VSHUNT)寄存器(地址= 4h))在几小时内为非零时出现、并且偏移将在 VDIFF = 0uV (没有电流流经分流电阻器)几小时后缓慢消耗到0x LSB。

数据表中未介绍我们观察到的行为。您能否深入了解 Vos 的"恒定"性质？它是否始终存在或它在报告的分流电压测量(VSHUNT)寄存器(地址= 4h)值中的显示方式是否定义了一些相关性？

谢谢！

耐特

4 months ago

0 admin 4 months ago

TI__Guru**** 1783250 points

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您好、Nate、

感谢您使用 TI 论坛。关于您的问题：

linzhi zou said:
我们看到测量的分流电压有一个较小的偏移。对于给定的芯片、此偏移幅度是否预计是恒定的(根据 dVOS/dT 只有很小的变化)(预计会出现 Vos 的一些卷带到卷带和芯片到芯片可变性)？[/QUOTION][quote userid="121641" url="~/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1410993/ina239-is-vos-shunt-offset-voltage-constant 您能否提供有关 Vos "恒定"性质的见解？它是否始终存在或是否针对其在报告的分流电压测量(VSHUNT)寄存器(地址= 4h)值中的显示方式定义了一些相关性？[/QUOT]
是的、每个器件的失调电压都是恒定的、而且温度变化很小且芯片间可变性很小。
[报价 userid="121641" url="~/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1410993/ina239-is-vos-shunt-offset-voltage-constant "]我们遇到一个仅在 VDIFF (分流电压测量(VSHUNT)寄存器(地址= 4h))不为零几小时内才存在的小偏移(约为3-4x LSB)、偏移将在几个小时的 VDIFF (分流电压测量(VSHUNT)寄存器(地址= 4h)后缓慢消耗至0xLSB)。]
这似乎很奇怪。以下是一些有助于缩小漂移范围的调试步骤：

IN+和 IN-电压

当您看到该误差时、应尽可能靠近器件引脚测量 IN+和 IN-之间的差值。这可以帮助显示误差是否在到达 INA 之前出现。

GND

请确保 INA 接地与负载接地之间连接良好。确保不存在较大的接地波动也可能很好、但这不太可能成为问题。

噪声

这个小漂移也有可能来自您系统中噪声的变化。您可以查看数据表中的 ENOB 表、以了解您看到的内容是否处于基于器件设置的预期噪声分辨率范围内。

此致、

Mitch

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