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[参考译文] LM5146:有关 LM5146的问题

Guru**** 2387830 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5146
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1428339/lm5146-question-about-lm5146

器件型号:LM5146

工具与软件:

您好:

目前、客户使用的是 TI 的开关电源 LM5146芯片48到24V、48到8.4V、都能使输出电压保持稳定、但空载静态电流很大、超过400 mA、并不断上升、电感变热。
我想问原因是什么? 原理图使用 TI 官方网站上的参考设计。 下面是 TI 推荐的原理图以及客户设计的原理图。

    

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    尊敬的 Jimmy:

    高空载电流是由具有高开关损耗的电容式 FET 和/或具有高磁芯损耗的电感器造成的。 您能否完成 LM5146快速入门文件、以便我们检查损耗。

    PS:对于8.4V 设计、您可以通过一个二极管将 Vout 连接到 VCC。 这将降低 VIN 的 IC 偏置电流消耗、从而降低 IC 本身的功率损耗。

    此致、

    TIM

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    此处的最大 Vin 是多少? 也许您可以使用更高效的60V FET。 看一下 LM5146 EVM (设置12V/8A/400KHz 和100V FET)。 请注意、EVM 上的 FET 选择对于高侧具有更高的 Rdson /更低的 Qg FET。 此处也建议这样做、尤其是对于8.4V 输出。

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    您好、Timothy:

    目前、我们要用较低的 MOS 晶体管替代 Qg MOS 晶体管。 最大输入电压为58.8V、空载电流约为30mA。 电流是稳定的。 电流是否正常? 我们是否仍然需要更换较低的 MOS 晶体管?

    接下来、我们计划使用您建议的 MOS 晶体管 BSC117N08NS5和 BSC037N08NS5、看看我们是否可以进一步降低空载电流

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    尊敬的 Jimmy:

    30mA 还不错。 我认为它与 EVM 类似。 如果您有一个与 IC 的 VIN 引脚串联的电阻器、则可以检查其电压并确定流入 VIN 引脚的电流。

    此致、

    TIM

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    你好、Timothy:

    流入 VIN 的电流为8mA。 目前、通过更换较小的 Qg MOS 晶体管、从48V 降至8.4V 的电路的空载电流可优化为21mA。 对于从48V 降至24V 的电路、空载电流只能优化为44mA。 使用了相同的 MOS 晶体管、空载差异很大。 这是否正常?

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    Jimmy、

    这可能与电感磁芯损耗有关、后者随着 pkpk 纹波电流而增加。 这些 NL 输入电流值看起来是合理的。

    此致、

    TIM

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    你好、Timothy:

    测试条件为48V 输入和24V 输出。 LM5146空载测试的波形如下图所示。

    开关 SW 测试波形:

    高侧 MOS 管 HO 测试波形:

    低侧 MOS 管 LO 测试波形:

    HO 和 LO 波形的双通道测试:

    死区时间:

    目前、空载电流可以优化为在30mA 附近、但空载的温升非常高。 无负载时、室内温度为20 °C。10分钟后、功率电感器的温度会达到60 °C 以上、这感觉很热。 MOS 管的温度略高于功率电感的温度。 波形当前看起来良好。 死区时间是否正常? 使用的电感器模型为 MWSA1265S-6R8MT 和 MWSA1707S-100mT。 让我们看一下这两个电感器的参数、看看它们是否合适? 是否仍有优化空间?

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    尊敬的 Jimmy:

    波形看起来没有问题。 48V 时的30mA 为1.5W、这会导致温度升高。 您可以尝试使用二极管仿真模式来查看这是否有用。 此外、Cyntec 电感器的磁芯损耗更低。 还要看一下 FET。

    此致、

    TIM