工具与软件：
我目前正在使用 OPA855测试 C-TIA 电路。
我在测试设置中遇到直流偏置问题。 OPA855的同相输入具有3.8V 的偏置电压、而反相输入具有3.2V 的偏置电压。
我相信这个0.6V 的输入偏置差异会导致 OPA855饱和。 但是、OPA855的输出的直流偏置电平为3.4V。
任何人都可以解释发生这种情况的原因、并就如何实现所需的3.8V 输出直流偏置电平提供指导？
我正在使用 OPA277在电路中生成3.8V 直流偏置电压。
你好、Shin、
感谢您提供更多信息。
我一直介绍这个参考电路直到直流伺服环路部分、非常有趣的是、我看到了 RF-TIA 与 CF 之间的区别。
最大增益是参考的第一级和第二级：
Vs
然而、基于这种说法、增益确实是两级的组合。 另外、您正确的是、带宽扩展是由第二级造成的。 在原理图中添加 CD 或 C11会改变极点/零点的位置、从而使噪声增益和 AOL 的交叉频率进一步提高。
相比之下、RF-TIA 的交叉点如下：
根据您的输入电流范围、您可能会从不同的结构中受益。 您可以保留 OPA855、但然后使用可变或可编程增益放大器进行跟随。 因为、例如、如果您的最小电流具有高增益、那么您将在最大电流下使放大器饱和。
因此、对于第一级：
第二级是另一个具有内部增益开关的放大器、例如 VGA/PGA、如果您后续使用 ADC、它也很有用。
如果您确实需要在不同的输入电流范围内实现高增益、或者该项目用于研究 OPA855-TIA、则 可以将 CF 替换为 OPA858、因为它是一个 P2P (引脚对引脚)、可以轻松地在同一个 PCB 板上更换。 此外、您可能有资格通过 器件的"订购与质量"选项卡订购样片：
由于 CMOS 架构、直流问题将消失、 J.-H 中也引用了该架构 Noh 的论文"OPA657-TIA 最初被提出用于减少由 RF-TIA 反馈电阻器生成的热噪声、并且克服在 CF 芯片中集成高电阻的困难"、使用 FET 输入 OPA657作为示例器件。
此致、
SIMA
