工具与软件：
以上是 我的项目中基于 INA296A3IDDFR 的低侧电流检测实现方案。 在验证电路时、我发现 I_PV_SNS_OU 相对于 GND 的输出噪声相当大。 下面是当流过感应电阻器 R1的电流约为50mA 时捕获的波形
观察此情况、我继续以 GND 为基准测量0V6_REF 和3V3_ANALOG、没有观察到相同的噪声模式
我们尝试的其他尝试包括：
1.将 R53替换为360Ω(基于 INA296A 将1nF 电容负载从放大器去耦：浮动噪声远高于规格-放大器论坛-放大器- TI E2E 支持论坛)
2.将 C156替换为270pF 电容器(因为1nF 恰好等于该元件的最大可耐受电容)
3.完全移除 R53并测量 I_PV_SNS_OU 的输出(输出端无容性负载)
这些操作都不会对输出波形产生明显影响、我们继续观察到相同的噪声模式、我想知道还可以采取哪些其他措施来降低此噪声？
感谢您提供任何建议。
Hafis,
由于使用如此小的电流和分流器、您在此处看到的输出就是该器件在全带宽(以输出为基准)下的噪声。 从数据表中、我们可以获取噪声密度规格和频率变化曲线：
总噪声输出将是图6-27曲线下的积分之和。 诚然、这是粗略的近似值、但如果我对 G=50V/V 型号进行简单的砖墙分析、我就会得到
RTI 噪声、RMS = 39nV/sqrt (Hz)* sqrt (1.1MHz)= 40.9uVrms。
将此值转换为峰峰值、并推至输出、
40.9uVrms * 6.6 * 50V/V =~13.5mVpp
根据您展示的示波器屏幕截图、我想说您看到输出为~10-12mVpp、它与该计算相符(因为我用砖墙简化方法高估了它)。
如果这确实是器件固有的噪声、那么有几种方法可以解决：您可以通过低通滤波器来限制器件任一侧的带宽(注意不要将误差注入输入侧的信号链)、或者您可以根据图6-27选择更高增益的器件以减少信号链上的噪声。
有关您已尝试的内容的一些注释：
1.将 R53替换为360Ω(基于 INA296A 将1nF 电容负载从放大器去耦：浮动噪声远高于规格-放大器论坛-放大器- TI E2E 支持论坛)
-在本例中,您创建的输出滤波器将滤波器输出侧的带宽限制为~440kHz。 根据上述相同分析、这应该会将超过滤波器的噪声降低至大约8.5mVpp。 这是一个很小的调整,所以它可能看起来没有改进。 原理图中显示的电流滤波器限制为3MHz、因此我不希望在此滤波太多。
2.将 C156替换为270pF 电容器(因为1nF 恰好等于该元件的最大可耐受电容)
11.1MHz 的带宽有限、所以除了低频噪声、我不希望这里有任何改进。
3.完全移除 R53并测量 I_PV_SNS_OU 的输出(输出端无容性负载)
-因为我相信这是部件的噪音,我不相信它是导致这种情况的过滤器。
