工具与软件:
对于高阻抗源放大器的噪声性能、不仅2.3nV/sqrt (Hz)性能、而且电流噪声密度也很重要。 对于 Rs=1M Ω 的源电阻、JFET 输入电流密度的感应电压噪声密度为:
vnd (Ind-JFET)=1e6*1.5e-12=1500nV/sqrt (Hz)
所选源电阻的电压噪声密度为:
VND (Rs)=4kT*1M Ω=sqrt (1.66e-20*1e6)=128.8nV/sqrt (Hz)
BUF802是一个不好的选择、因为它在 Rs=1M Ω 时具有较小的数值:
NF = 20*log10 (1500e-9/128.8e-9)= 21.3dB
如果我们看看泄漏电流的散粒噪声:
IND (Ileak)=sqrt (2*q*Ileak)=sqrt (2*1.6e-19*3e-12)=0.98fA/sqrt (Hz)
激发噪声的数字比 BUF802 JFET 输入的指定数字低3个多阶。
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确定客户对电流噪声的看法。 TI 还提供了 POST 的噪声仿真图、很不幸、该图具有极低的分辨率和不带垂直标记。
低于0.5pA/sqrt (Hz)时不容易读取电流噪声图、应注意的是、左侧的电压噪声和右侧的电流噪声比例在零轴上不匹配。 我不知道这里发生了什么、但 JFET 的电流噪声密度接缝很差、并且1.5pA/sqrt (Hz)也无法从另一个帖子的输入噪声图中读取。 无论如何、这两个使1M Ω 源的 JFET 看起来很差。