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[参考译文] TLV1805:采用比较器的过压保护电路—问题

Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: TLV1805
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1470119/tlv1805-overvoltage-protection-with-comparator-circuit---problem

器件型号:TLV1805

工具与软件:

您好、我在对电路进行仿真时遇到了问题、该电路在 TI 的"模拟工程师电路设计指导手册:放大器- 2019年"中进行了介绍。 在第234页上、有一个过压保护电路。 遗憾的是、我无法使电路正常工作、这意味着 P 沟道 MOSFET 无法关闭。 原理图中未指定确切的 PMOS 晶体管、但我假设齐纳保护二极管 Z2应为16V、因此最大 Vgs 应约为20V。 在仿真中、我使用了 IRF9640晶体管。 为了使晶体管关断、Z2必须处于最大值5.1V、从而使 Vgs (th)保持在-3V 左右。 不过、Z2的任何其他值都会将晶体管的栅极保持在足够低的水平、即使高于36V 的电源电压、它也会继续传导

我在做什么错?

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    Jerzy、您好!

    如果您将栅极直接短接到电源、会发生什么情况? (VGS=0V)。 此时 MOSFET 应完全关断(开路)。 如果它仍然亮起-则表明 MOSFET 出现问题。

    齐纳二极管的大小应保证提供最高栅极电压(高于阈值)、而不超过 VGS 最大值 Vishay 使用10V 作为其规格。

    什么是栅极上的测量电压-请记住、测量电压会在 DMM 的100k 和10M 阻抗之间形成一个分压器-因此它可能与 VCC (源极电压)不相似。

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    您好、Paul、问题解决了。 我对 TLV1805使用了一个错误的模型、该模型具有集电极开路(!) 而非推挽。 因此 PMOS 的栅极绝不会短接至 VCC。 我找到了一个合适的模型(由 TI 制造?) 在仿真中效果很好。 感谢您的建议。

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    您好、Jerzy

    啊! 这会产生影响! :^)

    支持的模型可在 TLV1805网页上找到:

    TLV1805 PSpice 模型