工具与软件:
在该器件的 TID 报告中、有很多看起来非常全面的正确数据、但所有这些数据点的参数名称在报告或我发现发布的任何其他材料中似乎未明确定义。 我可以在一定程度上推断相关单元的含义以及名称。 但我认为、在这些成果中、我想回顾的许多内容由于没有这些明确的定义而被掩盖。 如果这些实际上是明确的、请你指出我的正确方向、如果不是的话、请你发表更好的描述?
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在该器件的 TID 报告中、有很多看起来非常全面的正确数据、但所有这些数据点的参数名称在报告或我发现发布的任何其他材料中似乎未明确定义。 我可以在一定程度上推断相关单元的含义以及名称。 但我认为、在这些成果中、我想回顾的许多内容由于没有这些明确的定义而被掩盖。 如果这些实际上是明确的、请你指出我的正确方向、如果不是的话、请你发表更好的描述?
我不确定我是否理解任何一个术语。 我将 提供从附录 A 的结果表中的前几条中提取的具体示例列表(我相信在后续 附录(如 HDR 测试 )中重复使用了相同的参数、因此我怀疑它们取自一个通用测试程序、其中所有这些程序都有更明确的定义):
Brian、您好!
首先,感谢您的等待,我对我的答复延迟表示歉意。 很遗憾、我没有收到创建此特定报告的工程师的回复、但咨询我们的系统工程师后、我有一些关于参数名称的答案供您参考。
ICC1_VCCP、ICC1_VCCn: 在测量器件的 Iq 时、ICC 分别是流入 V+和 V-的电流。
ICC1_VCCN_INT: 请注意、它首先作为 ICC1_VCCN 进行测试、然后作为_2p7V_NMOS 进行测试、最后作为 INT 进行测试 我猜是、_INT 是测试关闭时的完整性检查、通过验证 IQ 仍然正确来确保器件不会损坏。
iq_pos_diff、IQ_neg_diff: 通常我们会比较在测试开始和结束时测得的 Iq、或使用两种不同的方法来测量 Iq。 这通常只是完整性检查、并非用于实际规格。 例如、#2 pre 的209.755值等于来自 ICC1_VCCP_2p7V_NMOS 的2438.545、减去来自 ICC1_VCCP 的2228.791。
swing_ : 这是不同条件下的输出电压摆幅测量值是正确的。 例如、SWING_2K_2.7_H_AMP1表示2kΩ 负载电阻器(2.7V 电源电压)至高电源轨(放大器通道#1)。 请注意、规格为-35mV 作为最小值、这是数据表中40mV 规格的保护频带。 此测试的值通常是输出电压减去电源轨电压、不知道最大限值是5V 的原因、但实际值小于0且大于-35mV。 我没有查看每个规格、但他们应该遵循该公式。
VIO1_4_AMP1: VIO 是放大器通道1在4V 电源下以输入为基准的失调电压 VOS。 请注意、825uV 规格是895uV 数据表规格的保护频带。 VIO2_40_AMP1是在40V 电源、同一通道下进行的第二次测量–请注意、它具有相同的限值、DS 规格相同。 CMRR 和 PSRR 测量提供了一些显示失调电压稳定性的附加支持数据。
如果您想了解有关特定测量的更多详细信息、请告诉我、我可以联系我们的测试工程师。
此致、
Alex Curtis