[参考译文] OSPI-AM243X：有关 MCU-PLUS-SDK 无效8D 模式的问题

您好！

我想了解您的设置。

执行以下操作之一：

1. AM243 SoC 定制电路板(具有 OSPI 闪存器件 S28HS512T)。
2. 或者具有像 S28HS512T 这样的 OSPI 闪存器件的 AM243 TI EVM。

Unknown 说：

# 4. 不支持高频。 修改高于50MHz 的 OSPI 频率(例如100MHz (PHY/2))并启用200MHz 模式、工程无法工作。 目前不支持 PHY 模式和高频、是否有计划何时支持？[/QUOT]

您能继续尝试一下组合 166 MHz 时钟频率和时钟分频器值为4 然后启用 PHY 模式。 如果它可以与我建议的组合配合使用、请告诉我。

[报价 userid="589657" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1477978/mcu-plus-sdk-am243x-questions-about-ospi-ineffective-8d-mode "]#2。 每个通信尽管仅读取1个字节、但实际上会触发10个字节的 CLK。

我需要了解这意味着什么、我假设这可能是以下两种情况中的任何一种：

假设8位 unsigned int 格式的源偏移值如下所示：1、2、3、4、5 6、7、8、9、10、 11、12、

1. 第一种情况是、您可能希望读取1个字节、这也是值1、但您最终在波形上看到了值1、2、3、4、...、10。
2. 第二种情况是、您可能希望读取1个字节、这是值1、但您最终在波形上看到值1读取10次。  

由于使用 NOR 闪存部件、我假设您要执行直接读取操作。 如果愿意、那么对于大小大于1KB 的传输、则使用 DMA、否则对于小于1KB 的传输、我们假设对于32字节、您会看到32字节传输了32次、而不是波形上的1次？

期待您的答复。

此致、
Vaibhav

user4627034 说：

• AM243 SoC 定制电路板(具有 OSPI 闪存器件 S28HS512T)。
• 或者具有像 S28HS512T 这样的 OSPI 闪存器件的 AM243 TI EVM。

[报价]

我们的定制电路板 ospi 闪存都是 S28HL512T (3.3V)、我们在 EVM 板 S28HS512T (1.8V)上进行了测试

user4627034 说：

您能继续尝试一下的组合吗 166 MHz 时钟频率和时钟分频器值为4 然后启用 PHY 模式。 请告诉我它是否适用于我建议的组合。

div4 = 41.5MHz < 50MHz 时的166MHz 可正常工作。 启用 PHY 模式不工作、INITIAL 失败。

user4627034 说：

假设8位 unsigned int 格式的源偏移值如下所示：1、2、3、4、5 6、7、8、9、10、 11、12、

1. 第一种情况是、您可能希望读取1个字节、这也是值1、但您最终在波形上看到了值1、2、3、4、...、10。
2. 第二种情况是、您可能希望读取1个字节、这是值1、但您最终在波形上看到值1读取10次。  

[报价]

第一种情况。

user4627034 说：

假设您在使用 NOR 闪存器件时正在执行直接读取操作。 如果是、则对于大小大于1KB 的传输、将使用 DMA、否则对于小于1KB 的传输、我们假设32字节将传输32个字节、而不是波形上的1次？[/QUOT]

是的, 调试并发现它只是 一个 memcpy()。 32字节的32次传输。

我遇到了一个新问题：

从 SDK10导入"Hello world"、在 SysConfig 中启用闪存、Flash_READ () 64字节失败、EVM 板调试日志如下图所示、同时 SDK9正常。 如何解决此问题？

示例代码(hello_world.c)：

#include <stdio.h>
#include <kernel/dpl/DebugP.h>
#include "ti_drivers_config.h"
#include "ti_drivers_open_close.h"
#include "ti_board_open_close.h"

#include "FreeRTOS.h"
#include "task.h"
#include <string.h>


static uint8_t buff[1<<12] __attribute__((aligned(128U)));
void ospi_waveform_test(void)
{
    uint32_t addr = 0;
    uint32_t length = 0;


    for (;;)
    {
        for (int i = 0; i <= 12; i++)
        {
            memset(buff, 0x00, sizeof(buff));

            length = (1UL << i);

            Flash_read(gFlashHandle[CONFIG_FLASH0], addr, buff, length);

            DebugP_log("\r\n[0x%X,%d]:\t %02X %02X %02X %02X\r\n", addr, length, buff[0], buff[1], buff[2], buff[3]);

            vTaskDelay(2000/portTICK_PERIOD_MS);
        }

        addr = 0x80000 - addr;

    }
}


void hello_world_main(void *args)
{
    /* Open drivers to open the UART driver for console */
    Drivers_open();
    Board_driversOpen();

    DebugP_log("Hello World!\r\n");

    ospi_waveform_test();

    Board_driversClose();
    Drivers_close();
}

[/quote][/quote]

• 取消

• 向上 0 True 向下
• 取消

尊敬的 Vaibhav：

#1。 对于 PHY 模式、是否需要如 Linux SDK 所述将 PHY 模式刷写到闪存？

https://software-dl.ti.com/processor-sdk-linux/esd/AM64X/10_01_10_04/exports/docs/linux/Foundational_Components U-Boot/UG-QSPI.html

PHY 校准

PHY 校准可实现更高的读取性能。 要启用 PHY、必须在最后一次擦除扇区开始时将 PHY 校准模式刷写到 OSPI。 对于 Cypress S28HS512T 闪存、该地址位于0x3FC0000。 ‘名称应为"ospi.phypattern"、因为驱动程序在 PHY 校准前查找该名称。

从下载包含 phy 模式 here的二进制文件。 以下命令可用于刷写 PHY 模式、并根据所使用的闪存来指示模式的位置：

#2。 是否在使用哪个 MCU SDK 的 EVM 板上进行了 PHY 模式测试？

尊敬的 Tony 和 Liang：

请花一点时间阅读以下两个常见问题解答。

常见问题解答1 (18分钟的阅读时间)： https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1431856/faq-am62a7-ospi-phy-tuning-algorithm

常见问题2 (读取时间为5分钟)： https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1459826/faq-sk-am64b-what-is-the-purpose-of---operation-flash-phy-tuning-data

根据您发送的代码：

Flash_READ (gFlashHandle[CONFIG_FLASH0]、addr、buffer、length)；

如果我没弄错、那么您只需从闪存偏移0x00读取64个字节。

让我在我结束时尝试一下、我会在某个时间更新您的信息。

此致、

Vaibhav

您好！

我习惯从0x00开始读取4096个字节。 我使用了顶层 API Flash_READ ()。 这对我来说是有效的、我能够读取价值。 请注意、闪存偏移0x0处的值本质上将是引导加载程序映像的前几个字节。

此致、

Vaibhav

我在 sdk9和 sdk10 sbl_ospi 上测试了上面的代码,都能工作,但在 SDK10应用程序级别它不能工作,这可能是什么原因?

在 启用了166MHz 和 phy 的 sbl_ospi 上、我可以捕获166MHz clk、因此我认为支持 phy 模式。 但在应用级别、PHY 模式异常。

尊敬的梁先生/女士：

我下面的评论是从应用层面来看的。

Unknown 说：

但是在 SDK10应用程序级别它不起作用、可能是什么原因？

闪存读取失败还是闪存初始化失败？ 如果您缩小范围、那将很有帮助。 您能否确认以下哪项正确：

1. 第一种可能:您是否可以检查 流是否 从 Board_driversOpen () API 调用返回? 或者它自己卡在那里、闪存初始化失败。
2. 第二种可能:流程从 Board_driversOpen ()返回,但最终无法使用 Flash_READ ()从闪存读取内容。

此外、请查看以下支持的组合：

此致、
Vaibhav

Unknown 说：

闪存读取失败或闪存初始化失败？

在调用具有64字节的 memcpy 时、Debug and Found 然后未崩溃、日志显示在此处：

从 SDK10导入"Hello world"、在 SysConfig 中启用闪存、Flash_READ () 64字节失败、EVM 板调试日志如下图所示、同时 SDK9正常。 如何解决此问题？

从 SDK10导入"Hello world"、在 SysConfig 中启用闪存、Flash_READ () 64字节失败、EVM 板调试日志如下图所示、同时 SDK9正常。 如何解决此问题？

如果启用 DMA：

否则：

您好、Vaibhav、 我发现如果在"MPU Armv7"(CONFIG_MPU_REGION4)中删除闪存配置、包括 ospi phy 模式并读取64字节、则闪存配置可行。 基础是什么？

如果您删除 CONFIG_MPU_REGIONAL 4并未启用 PHY 模式、您仍然可以读取吗？

user4627034 说：

如果您删除 CONFIG_MPU_REGION4且未启用 phy 模式、您仍能阅读吗？

有

因此、删除此配置会有所帮助。

默认情况下、当您打开 SDK 附带的其中一个 OSPI 应用程序时、我们会看到该区域 CONFIG_MPU_region4未定义、这就说明了这一点。 但作为一项安全措施、我会尝试在我的工作示例中包含该区域、并检查它是否对我也失败。 如果失败、我可以收集一些解释并告诉您。

感谢您的耐心。

此致、

Vaibhav

好的、期待您的更新。