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[参考译文] MSPM0C1104:加载闪存 BSL 失败

Guru**** 2200990 points
Other Parts Discussed in Thread: LP-MSPM0C1104, MSPM0C1104, MSPM0C1103
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1476367/mspm0c1104-failed-to-load-flash-bsl

器件型号:MSPM0C1104
主题中讨论的其他器件:MSPM0C1103

工具与软件:

您好!

我正在使用  LP-MSPM0C1104 EVK + SDK 2.03.00.07 + CCS 来开发需要引导加载程序功能的应用 、以便在需要通过 I2C 接口升级应用时使用。

然后、 我 从模板"flash_Bsl"创建一个新项目、并尝试将其闪存到器件中。

但它显示如下消息、

MSPM0C1103/MSPM0C1104/MSPS003Fx 不支持 NONMAIN CRC 验证。 擦除/编程 NON-MAIN 时请务必小心。
文件加载程序:内存写入失败:闪存编程器:错误、在不擦除的情况下尝试 NONMAIN 写入!
GEL:文件:C:\Users\\AppData\Local\Temp\ti_cloud_storage\flash_BSL_LP_MSPM0C1104_nortos_ticlang.out :加载失败。

它意味着什么剂量以及如何修复它? 谢谢。  

PS、我可以刷写其他项目、只有这个项目会失败。

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    您好、Ryan、

    如果要在工程中修改 NVM、请选择正确的闪存设置。

    B.R.

    SAL

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    尊敬的 Sal:

    它的工作原理是这样。 感谢您提供的信息。