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[参考译文] BQ41Z50EVM:禁用 DataFlash 永久失效

Guru**** 2384630 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ41Z50, BQSTUDIO
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1474438/bq41z50evm-disabling-the-dataflash-permanent-fail

器件型号:BQ41Z50EVM
Thread 中讨论的其他器件:BQSTUDIO、BQ41Z50

工具与软件:

我目前正在开发用于修改 DataFlash 值的生产软件。 修改制造商信息(0x4080)的 DataFlash 值的函数在脱离蓝色状态时、器件停止对 DataFlash 的任何修改时运行正常。 我尝试了使用 BQStudio 和我的定制软件来修改 DataFlash、但都没有成功。 经过一些研究我发现了问题、PFStatus (DFW)位为高电平、这意味着启用了 DataFlash 永久失效。

是否有方法可以禁用 DataFlash 永久失效?

为什么 DataFlash 永久失败激活?

提前感谢您提供有关此主题的任何帮助。

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    您好!

    DFW 指示数据闪存物理发生故障。 如果特定数据闪存超过数据闪存写入周期限制(TI 保证大约20k 个周期、但通常情况下工作正常)、就会触发此 PF、这意味着、例如监测计尝试在物理电池存储器中写入"1"、但存储器单元无法容纳足够的电荷来表示"1"、它读作"0"、不能通过 PF Clear 命令进行更改。  另一种方法是某种 ESD 损坏了闪存。

    要恢复、您可以尝试使用 PF_Clear 命令、然后使用 PF_EN 命令。 这将清除 PF 并禁用功能 PF。  

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    您好、Jose、

    感谢您的回答。

    我执行了你发给我的两个命令,但现在我担心问题不仅仅是 DFW。
    在尝试修改 DataFlash 时、仍然存在问题。

    当尝试将 A32的值从0xFF 更改为0x35时、我得到以下错误:  

    A32的值不会被修改、保持为0xFF。
    使用 WRITE ALL 函数时、会显示以下错误:  

    您是否有关于为什么出现这些错误消息的提示?  

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    您好!

    发送 PF_CLEAR 和 PF_EN 后 PF 是否消失?

    如果没有 PF、是否可以尝试使用"Advanced Comms"选项卡、看看错误是否消失?  

    电池的电压是多少?  

    启动 bqStudio 时、是否会自动检测到电量监测计? 需要自动检测它以确保使用正确的目标文件。 具有正确的目标文件(BQZ 文件)可确保正确的存储器映射。  

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    您好!  

    PF 确实消失了。  

    启动 BQStudio 时会自动检测到 BQ41z50、我当前使用的电源电压为10.81伏。
    我已经将 EVM 配置为3芯串联、并且我已经按照手册中指定的硬件连接进行了操作。  

    BQ41z50检测到的电压为0mV。  

     
    使用高级通信选项卡时、操作显示为成功、但不修改 DataFlash。  


    我已经验证并且 EVM 已正确配置为3S、我目前使用此硬件配置已有一段时间、最近我无法修改 DataFlash。

    对于此问题的原因和如何解决它的任何帮助都是非常满意的。  

    谢谢 Jose。  

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    您好!

    当电流为32A 且电压读数为0V 时、肯定会出现问题。
    我认为固件损坏。  

    您可以使用 TI.com 中的固件来刷写器件吗?  https://www.ti.com/tool/download/BQ41Z50-FW

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    您好!

    刷写器件未解决问题、在刷写器件时再次显示错误"读取数据写入的比较失败"

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    您好!

    听起来您没有成功刷写器件。  
    您能否在刷写之前将器件置于 ROM 模式?