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[参考译文] AM2432：epmty 示例程序系统配置

admin
Guru**** 2463730 points
Other Parts Discussed in Thread: SYSCONFIG

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1450446/am2432-epmty-sample-program-system-configuration

器件型号：AM2432
主题中讨论的其他器件：SysConfig

工具与软件：

嗨、团队：

1. TCMA-R5F :地址为0x0~0x40的 R5F_VECS 区域是什么? 用户可以将其 用作 TCM 吗？

是否需要从样片程序中修改 TCMA 起始地址？

3.ram0_m4F ：地址为0x0~0x200的 M4F_VECS 区域是什么？ 用户可以将其 用作 RAM 吗？

4.闪存中没有 M4F 内核,这与 Applmage?

此致、

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    TI__Guru**** 2463730 points
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    您好！

    感谢您的提问。

    Unknown 说：
    。 TCMA-R5F :地址为0x0~0x40的 R5F_VECS 区域是什么? 用户可以将其 用作 TCM 吗？

    从0x0到0x40的 TCMA 地址用于存储向量信息。 这是应用程序的条目、_vector 必须放置在起始地址0x0。

    Unknown 说：
    ram0_m4F ：什么是地址为0x0~0x200的 M4F_VECS 区域？ 用户可以将其 用作 RAM 吗？[/QUOT]

    0x0 - 0x200之间的 M4F_VECS 地址用于存储 M4F 应用的向量信息。 此区域需要用于存储矢量条目、不能用于保留应用程序代码。

    Unknown 说：
    闪存中没有 M4F 内核、这与应用程序不同吗？

    我不明白上面的句子。 您能详细说明一下吗？

    此致、

    Tushar

    [/quote]
  • 0
    TI__Guru**** 2463730 points
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    >>您能告诉我们这里的用例是什么吗？ 另外、请告诉我们修改 TCMA 起始地址的含义是什么？

    TCMA_R5F 起始地址与技术参考手册 P.41中写入的主域存储器映射不同。 在 P208引导存储器映射中、只有0x4101_000~0x4101_7FFF、并且想知道是否需要更改此设置。

     >>闪存中没有 M4F 内核,这与 Applmage?

    在闪存区域中未找到内核、希望知道它是否与将要写入的应用映像不同。

  • 0
    TI__Guru**** 2463730 points
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    尊敬的 Sho：

    [报价 userid="477139" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1450446/am2432-epmty-sample-program-system-configuration/5564240 #5564240"] TCMA_R5F 起始地址与技术参考手册 P.41中写入的主域内存映射不同。 在 P208引导内存映射中、只有0x4101_000~0x4101_7FFF、并且想知道是否需要更改此值。[/QUOT]

    对于 R5F 应用、R5F TCMA 存储器本地地址从0x0开始、且 TCMB 本地地址从0x41010开始。 TRM 的 P41定义了外部源的 TCM 地址。 请参阅一节  6.2.3.2.2紧耦合存储器(TCM) TRM。

    Unknown 说：
    未找到闪存区域内核、并想知道它是否与将要编写的应用程序映像不同。

    我不理解这句话、您的意思是闪存不属于 R5或 M4、那么哪个内核能够写入闪存？

    请参阅一节  12.3.1闪存子系统(FSS) TRM 、以了解闪存详细信息。

    此致、

    Tushar

  • 0
    TI__Guru**** 2463730 points
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    尊敬的 Tusher Thakur：

    >>我不理解这句话,你是说闪存不属于 R5或 M4下,那么哪个内核能够写入闪存?

    我提出此问题是因为我不了解 SysConfig 的存储器区域中指定的闪存区域的用途。

    在 Memory Region 中分配内存时、每个内核都可以使用 FSS (闪存子系统)访问所分配的区域这种说法是否正确？

    此外、是否需要在存储器区域中指定用于 OSPI 引导的应用程序映像的地址、这是正确的？

     

    此致、

    长田芳秀

  • 0
    TI__Guru**** 2463730 points
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    尊敬的 Yoshihide：

    您是否指在 example.syscfg 文件中配置的闪存区域？ 请参阅下图。

    我们不会在任何地方使用此部分来保留任何数据或文本。 希望这一点得到澄清。

    此致、

    Tushar

  • 0
    TI__Guru**** 2463730 points
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    您好、Tusher、



    感谢您的答复。

    >>您是指在 example.syscfg 文件中配置的闪存区域吗？

    是的、是这样。

    >>我们不会在任何地方使用此部分来保留任何数据或文本。

    我知道 SDK 中没有使用它


    此外、您能否告诉我、在用户端使用闪存时是否有任何区域无法使用？

    此致、

    长田芳秀

  • 0
    TI__Guru**** 2463730 points
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    尊敬的 Yoshihide：

    上述闪存为 DAC 模式下的 OSPI 保留。 该存储器只能 在读取时进行访问、而不能在写入时进行访问。

    此致、

    Tushar  

  • 0
    TI__Guru**** 2463730 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Tusher、

     抱歉。 我不明白,所以请教我。
    -我的理解是否正确,"上面的闪存存储器"是指外部闪存存储器?
    -如果我使用 DAC 模式以外的模式,我可以写入上面提到的闪存吗?

    我的问题的背景是了解是否有写入闪存的方法。

    此致、

    长田芳秀

  • 0
    TI__Guru**** 2463730 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Yoshihide：

    如果用例只是 将二进制写入闪存、您可以使用 SDK 中提供的刷写工具。  

    请参阅  flash_application、 以了解刷写应用程序的步骤。  

    此致、

    Tushar

  • 0
    TI__Guru**** 2463730 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Tusher、

    >>如果用例只是 将二进制文件写入闪存、可以使用 SDK 中提供的刷写工具。  

    作为一个用例、我考虑将扩展数据从 MSRAM 写入闪存、而不是从 PC 写入。

    我相信有相应的示例代码。


    AM243x MCU+ SDK：OSPI 闪存 IO
    AM243x MCU+ SDK：OSPI 闪存 DMA

    当我测试示例代码时、我能够通过 OSPI 写入闪存。

    然而、"此存储器只能在进行读写操作时访问"这一说法与示例代码不符。

    我想知道原因。

    此致、

    长田芳秀

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    TI__Guru**** 2463730 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    请允许我在某个时候通读该主题、因为大约几个小时前我就收到了这个 TT。

    通读后、我会发布回复。

    此致、

    Vaibhav

  • 0
    TI__Guru**** 2463730 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嘿 Vaibhav、

    新年快乐！

    请 回复 Nagata San 的查询。

    [报价用户 id="635233" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1450446/am2432-epmty-sample-program-system-configuration/5575967 #5575967"]

    然而、"此存储器只能在进行读写操作时访问"这一说法与示例代码不符。

    我想知道原因。

    [报价]

    此致

    Charan

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    TI__Guru**** 2463730 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    感谢您的耐心。

    我已通读该主题、我将提供我的见解。

    [报价用户 id="635233" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1450446/am2432-epmty-sample-program-system-configuration/5575967 #5575967"]

    >>如果用例只是 将二进制文件写入闪存、可以使用 SDK 中提供的刷写工具。  

    作为一个用例、我考虑将扩展数据从 MSRAM 写入闪存、而不是从 PC 写入。

    我相信有相应的示例代码。


    AM243x MCU+ SDK：OSPI 闪存 IO
    AM243x MCU+ SDK：OSPI 闪存 DMA

    当我测试示例代码时、我能够通过 OSPI 写入闪存。

    然而、"此存储器只能在进行读写操作时访问"这一说法与示例代码不符。

    我想知道原因。

    [报价]

    我想对你在这里写的回应发表评论。

    注意：

    在阅读以下回复之前、请了解短语"DAC Enable"。 所以、无论我说"DAC Enable"、它都意味着启用直接访问。 这是一种初始方式、意味着当 DAC 处于启用状态时、闪存会映射到从地址0x60000000开始的 SoC 存储器。 当 DAC 启用时、很明显、您可以看到从0x60000000开始的 SoC 存储器中的闪存内容。

    所以、您正在使用的闪存部件具有其自己的存储器。

    现在,我们的驱动程序的设计方式是,它能够通过调用顶级 API 即 Flash_WRITE()和 Flash_READ ()写入闪存存储器和读取相同的数据。 但还有更多。

    该分类根据您使用的闪存器件 NAND 或 NOR 闪存器件进行。

    1. 对于 NAND 闪存器件、写入过程为直接写入操作。 这意味着 DAC 被启用并且写入操作发生。
    2. 对于 NOR 闪存器件、写入过程为间接写入操作。 这意味着 DAC 被禁用、写入过程发生。

    此处明确记录了 NOR 不进行间接写入和 NAND 进行直接写入的原因： https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1448730/am6421-does-ospi-support-dma/5561444#5561444

    就从闪存器件读取而言、读取始终在直接模式下进行。 因此、NOR 和 NAND 闪存器件均支持直接/DAC 读取。

    如果您启用 DMA、则可在 DAC 读取之上获得优势、因此这意味着最快的读取方式是(启用 DMA +启用 DAC 读取)。

    请告诉我这是否澄清了你的一些疑虑、请继续提出更多的疑虑、以便进一步澄清。

    此致、

    Vaibhav

  • 0
    TI__Guru**** 2463730 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Tusher、

    很抱歉响应延迟。

    感谢您提供有关 DAC 的信息。

    您能为我澄清以下三点吗？
    A)我知道在 AM243x-LP 上、由于存在 NOR 闪存、因此在启用 DAC 时无法写入。
    ->我的理解是正确的："该存储器只能在读取而不能写入时访问。" 准确吗？
    b)如何确定是启用还是禁用 DAC？
    C)我知道如果 DAC 被禁用、则可以写入 NOR 闪存。
    ->我应该采取什么步骤来禁用 DAC 并写入 NOR 闪存？
    AM243x MCU+ SDK：OSPI 闪存 IO 是否适合解决方案？

    此致、
    长田芳秀

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    您好！

    请允许我在某个时候对您的其他问题进行评论。

    此致、

    Vaibhav

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    TI__Guru**** 2463730 points
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    您好！

    Unknown 说：
    我的理解是"此存储器只能在读取时而非写入时才能访问。"

    可以直接访问存储器以便进行只读操作、而对于写入闪存、这是间接写入操作、我们使用内部 SRAM。

    Unknown 说：
    )如何确定是启用还是禁用 DAC？

    一个名为 OSPI_enableDacMode ()和 OSPI_disableDacMode ()的 API 分别用于启用和禁用 DAC 模式。

    另一种解决方法是如果您看到闪存器件来自地址0x60000000的内容、则启用 DAC。

    但在读取 API 中、需谨慎操作、因此您只需调用读取 API 即可。 流程如下：

    flash_read()调用

    OSPI_readDirect ()

    DAC 在此启用

    发生读取

    DAC 禁用

    退出 OSPI_readDirect()

    函数调用返回到 Flash_Read()

    因此,您无需显式定义何时调用 DAC 启用,只需确保调用 Flash_READ ()即可。

    希望这能解答您的疑问。

    [报价 userid="635233" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1450446/am2432-epmty-sample-program-system-configuration/5641612 #5641612"]c)我明白如果禁用了 DAC、则可以写入 NOR 闪存。
    ->我应该采取什么步骤来禁用 DAC 并写入 NOR 闪存？
    AM243x MCU+ SDK：OSPI 闪存 IO 是否适合解决方案？[/QUOT]

    您不必担心 DAC 被启用用于写入操作、这是因为当间接写入操作发生时、此 DAC 被禁用。

    假设您要向某个闪存写入一些字节、那么您应该：

    1.擦除要写入的闪存

    2.现在写入闪存

    在第2点,当你写的时候,你需要调用 Flash_WRITE(),它的实现如下:

    flash_write() 调用

    OSPI_writeIndirect()

    禁用 DAC 模式

    发生写入

    退出 OSPI_writeInDirect()

    函数调用返回到 Flash_WRITE()

    此致、

    Vaibhav

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    TI__Guru**** 2463730 points
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    尊敬的  Vaibhav：

    很抱歉延迟了响应。

    我知道我可以使用 Flash_WRITE()写入闪存。

    我关于这一问题的所有问题都已解决。

    感谢您的支持。

    此致、
    长田芳秀

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    TI__Guru**** 2463730 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    [报价 userid="635233" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1450446/am2432-epmty-sample-program-system-configuration/5663542 #5663542"]

    我知道我可以使用 Flash_WRITE()写入闪存。

    我关于这一问题的所有问题都已解决。

    [报价]

    如果说明有帮助、请将我之前的回答标记为已解决。

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    此致、
    Vaibhav