工具与软件：
您好、我们的引导加载程序可以使用 F021 API v2.01.01 build (000830)读取和写入闪存、但在使用中、程序偶尔会在以下 while 循环中停止：
存储器状态如下：
一些背景信息：
每次加电时、我们的引导加载程序都会将数据写入此区域(0x002E0000-0x00300000)。 该器件每天通电不超过10次。
我们已经使用了数千个此类 MCU、但在一年的运行中、我们最近才在此 MCU 中发现这个问题。
目前、此 MCU 将每20左右稳定重新出现一次。
此问题的原因是什么？ 对此可以做些什么呢？
您好、Liu、
对于延迟响应、我深表歉意。 几天之后,我就离开了。
[报价 userid="584201" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1460484/tms570ls3137-the-program-stops-in-the-fapi_blockerase-function "]我们已经使用了数千个此类 MCU、但在一年的运行中、我们最近才在此 MCU 中发现这个问题。在数千个 MCU 中、是否仅一个 MCU 出现了此问题？
是否可以提供任何示例代码来在我结束时对其进行测试？
我们的引导加载程序每次上电时都将数据写入此区域(0x002E0000-0x00300000)
另外、我可以看到这些地址之间只有一个扇区：
我不明白为什么即使此地址范围中只有一个扇区、我们也在循环扇区擦除操作？
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谢谢、此致、
Jagadish。
您好、Liu、
我在以下主题中看到了类似的问题：
(+) TMS570LS0432：是否可以在 BANK0 -基于 Arm 的微控制器论坛-基于 Arm 的微控制器- TI E2E 支持论坛中刷写数据
在这里、我在与参考代码进行比较后发现客户代码有几处偏差：
在重复这些偏差后、问题似乎会在客户端得到纠正
在我们的代码中、经过验证后、我发现我们没有复制。 常量段存储到 RAM 中、我不确定这是否是根本原因。 但是、您能否尝试进行此修改、并在相应的 MCU 中进行测试、这在偶尔的情况下不起作用。
有关更多详细信息、请查看上面提供的主题。
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谢谢、此致、
Jagadish。
