工具与软件：
尊敬的专家：
(AM2434 + S28HL512T)
闪存数据表：
在8D 模式下读取 OSPI 闪存时的波形、发现 DQS 引脚的高电平未到达第一个数据位处的 VDD、如下图所示。
对应于以下标记。
我们认为这 可能是由于 SysConfig 的此配置值造成的
通过 ospi_flash_diag 项目、我们可以从闪存芯片中读取 dummyClksRd = 24、 它恰好比 SysConfig 值低一个时钟。
主机延迟了 CLK 释放 DQS 引脚的时间、导致出现半电平？
在测试时、将该值更改为26、 然后再扩展一个 CLK 半电平、如下图所示。
然后 更 改为24、无法正确从闪存读取值。
现在我们想问一下我们的猜测是否正确、如何消除这个半层次的问题？
最新动态：
OSPI 配置的器件。 "协议使能配置"->"Dummy Clocks (Read)"= 25、但闪存芯片虚拟寄存器=24。 但是、当我将它们调整为相同值时、例如24、25或8、从闪存读取的值不正确。
为什么主机虚拟周期需要大于从器件？
尊敬的 Vaibhav：
关键问题是：
如何为 OSPI 控制器和器件/闪存配置虚拟周期。 从测试结果来看、控制器侧需要比器件/闪存侧多1个周期。
OSPI 示例的默认 SysConfig 也会设置为此模式、原因和基础？
尊敬的 Vaibhav：
它功能强大、
#1。 但是、波形在读取的第一个数据位上是异常的。 如何解读中间电平的波形。
#2。 24/25适用于200MHz、它太大、不需要用于33.5MHz、废弃物循环和引线低吞吐量。
#3. 使用33.5MHz 验证5 (闪存)/6 (soc)虚拟周期、它通过数据写入/读取测试。
尊敬的 Tony：
我需要在我的 TI EVM 上运行它。
您能从下面突出显示的部分告诉我何时发现此行为吗？
是就在读取/写入事务开始之前、还是其他地方？
此致、
Vaibhav
每个读取事务的数据阶段的第一位。
在 OSPI 引导期间也可以捕获到数据。
对应于以下标记。
如图所示、如果第一个读取字节等于0xff、您可以在所有 DQS 引脚上重现此行为
您好！
我看到以下内容、以及使用逻辑分析仪选择的模拟波形选项。
此致、
Vaibhav
您好！
这是我读取时看到的情况、假设使用 OSPI_readDirect 时有128个字节、并且探测恰好在执行 memcpy 时发生。
毫无疑问、对于发送命令和地址字节、波形上显示的数据位、D0线发送位0。
此致、
Vaibhav
探测恰好在 memcpy 执行时发生。
非常确定其波形上看到的数据位与发送命令和地址字节有关、D0行发送位0。
如果被置位、它是命令和地址级、而不是从闪存级读回的数据。
我们需要看到读取数据的第一个数据位边沿。 而非命令和地址级数据引脚波形。
最好将 DQS 一起探测、然后可以知道何时是第一个读取数据位。
我已经取出/探测除 DQS 之外的所有线路、一旦我在某个时候也取出 DQS、然后我可以继续捕获 D0和 DQS、以便在捕获第一个位时知道它。
因此,一旦我做了,我会给你一张同样的照片。
感谢您的耐心。
此致、
Vaibhav
DQS 网络上有许多电阻器残桩、在 EVM 上探测起来并不困难。 客户做的很容易。 是否有时间表？
同样、无需探测所有数据引脚。 只要数据为 FF、使用 DQS 触发以捕获任何一个数据引脚、然后第一个位为高电平、就可以看到中间电平信号。
您好！
我已经探测了 DQS 和数据线 D0、并且观察到信号如下所示：
我已读取128个字节。
可以看到读取多少个字节时的行为？ 此外、我假设您也启用了 PHY、因为只有 DQS 线有效、否则不使用它。
此致、
Vaibhav
