[参考译文] AM2434：EEPROM WP GPIO

此外、是否有相应的参考原理图？

尊敬的 Mari：

Unknown 说：

另外、是否有这方面的参考原理图？

您指的是哪些原理图详细信息？ 是 EVM 原理图还是 EEPROM 原理图？

此致、

Tushar

尊敬的 Tushar：

对不起、我原来的问题不是很清楚。  

我认为 EVM 上电路板 ID EEPROM 的实现方式是、WP 连接到3.3V、因此它保持高电平、并始终强制执行 WP。

但是、他们希望改用来自 AM2434的 GPIO 信号来控制 EEPROM、以便可以从 AM2434写入该信号。  

这是否可以实施？ 在本例中、是否有任何不符合限制的 GPIO 引脚？

此外、是否有任何展示上述实现的原理图？ (我检查了 LP 和 EVM、但事实似乎并非如此)

此致、

Mari Tunnoda

你好  Mari Tunnoda

谢谢你。

请参阅下面的 EEPROM WP 说明：

写保护(WP)写保护输入在连接到 GND 时允许执行正常写操作。 当 WP 引脚直接连接到 VCC 时、将禁止执行对受保护存储器的所有写入操作。 如果引脚保持悬空、WP 引脚将从内部下拉至 GND。 但是、由于客户应用中可能会出现电容耦合、Microchip 建议始终将 WP 引脚连接到已知状态。 使用‑Ω 上拉电阻器时、Microchip 建议使用10 kΩ 或更小的电阻器

我预计在使用任何用于 WP 控制的 IOS 时不会出现任何问题。

此致、

Sreenivasa.