[参考译文] MSPM0C1104：如何在 MSPM0C1104的工程中实现 FAH_BSL 功能。

我在 I2C 总线上找不到器件、似乎 BSL 无法正常工作。

执行调试运行、我收到一条错误消息："Trouble Writing Memory Block at 0x41c00100位于长度0x40的第0页：闪存下载失败！ ...
文件加载器：验证失败：目标写入0x41C00100失败
GEL：文件：C：\Users\834076\AppData\Local\Temp\ti_cloud_storage\flash_bsl_LP_MSPM0C1104_nortos_ticlang.out：加载失败。"

这是 BSL 函数无法正常工作以跳转到应用程序代码的原因吗？

您好、金冠林、

Unknown 说：

我能否通过更改 MAIN_APP_START_ADDR 的值来修改应用程序代码的起始地址、该值在 flashBSL_defines.h 中定义、如下图所示

是的、在 BSL 工程中、修改 MAIN_APP_START_ADDR、以匹配应用程序将在闪存主存储器中放置的存储器位置。

Unknown 说：

在 SDK 的 flash_bsl 工程引用中、我找不到任何用于定义 I2C 的 syscfg 文件。 是否需要添加 syscfg 来定义 I2C？

 没有用于 BSL 工程的 SysConfig 文件。  BSL 的 I2C 和 UART 驱动程序配置在 flashbsl.h 中进行配置  设置-> #define I2C_INTERFACE ENABLE。  请记住、POR 后有10秒超时、这意味着您有10秒的时间连接到 BSL、否则器件将进入低功耗模式。  这也可能是您等待太长时间后无法连接到 BSL 的原因。

Unknown 说：

我收到一条错误消息"Trouble Writing Memory Block at 0x41c00100 on page Length 0x40的第0页：闪存下载失败

此处的问题很可能是调试器配置执行 MAIN 和 NONMAIN 存储器段擦除。 请参阅MSPM0引导加载程序(BSL)实现第2.2节步骤3。

*重要*- BSL 引导配置通过设置静态写保护来修改 NONMAIN 段、从而防止修改或擦除 BSL 代码存储器。 在 NONMAIN 首次编程后、无论之后是否尝试擦除 NONMAIN 或 MAIN 闪存并对其重新编程、编程器都会擦除 NONMAIN、但由于写保护而无法擦除 MAIN 存储器。  这将导致编程错误、将 NONMAIN 留空并在下一次器件复位时使器件砖化 (因为 NONMAIN 为空)、因此、为了防止器件发生故障、请确保在擦除和对 FlashBSL 程序代码进行编程之前每次都对器件执行出厂复位。  请 参阅 MSPM0 MCU 开发人员指南 的第7.1.2节。

我禁用"执行 CRC 验证"以加载映像、然后 无法再连接器件。

我尝试通过 uniflash 恢复出厂设置、但仍会失败、消息如下所示。

是否有办法取消阻止低功耗模式？

这是我使用的开发板。

您好、金冠林、

好的、让我与开发工具工程师核实一下。