Thread 中讨论的其他器件：UNIFLASH、 SYSCONFIG
工具/软件：
嘿、专家、
我有一个有关刷写定制电路板的问题。
作为使用 IS25LX064的闪存 iam (与 eval 板相同、只是带有64MB RAM 而不是256MB)
作为 SW、我要使用：
CCS 12.8.1.00005
SDK 10_00_00_35
Uniflash 8.1.4983
首先我阅读本指南： https://software-dl.ti.com/mcu-plus-sdk/esd/AM263PX/latest/exports/docs/api_guide_am263px/CUSTOM_FLASH_SUPPORT_GUIDE.html 并运行 ospi 闪存诊断示例、输出如下：
Cortex_R5_0][OSPI 闪存诊断测试]正在启动...
[OSPI 闪存诊断测试]闪存制造商 ID：0x9D
[OSPI 闪存诊断测试]闪存器件 ID ：0x5A17
[OSPI 闪存诊断测试]在第一个块上执行闪存擦除...
[OSPI 闪存诊断测试]已完成！！
[OSPI 闪存诊断测试]执行读写测试...
[OSPI 闪存诊断测试]读写测试通过！
[QSPI 闪存诊断测试] SFDP 信息：
============================================
SFDP
============================================
SFDP 主要修订版 ：0x1
SFDP 次要版本 ：0x9
此表中的参数标题数：3.
此闪存中其他参数表的类型
--------------------------------------------------------
4字节寻址模式指令表
NOR SPI 配置文件表
闪存的 JSON 数据:
｛
"flashSize"：8388608,
"flashPageSize"：256、
"flashManfId"："0x9D"、
"flashDeviceId"："0x5A17"、
"flashBlockSize"：131072、
"flashSectorSize"：4096、
"cmdBlockErase3B"："0xD8"、
"cmdBlockErase4B"："0xDC"、
"cmdSectorErase3B"："0x20"、
"cmdSectorErase4B"："0x21"、
"原型"：｛
"P111"：｛
"isDtr"：false、
"cmdRd"："0x03"、
"cmdWr"："0x02"、
"modeClksCmd"：0、
"modeClksRd"：0、
"dummyClksCmd"：0、
"dummyClksRd"：0、
"enableType"："0"、
"enableSeq"："0x00"、
"dummyCfg"：null、
"protocfg"：null、
"strDtrCfg"：空
}、
"P112"：空、
"P114"：空、
"P118"：｛
"isDtr"：false、
"cmdRd"："0x7C"、
"cmdWr"："0x84"、
"modeClksCmd"：0、
"modeClksRd"：1、
"dummyClksCmd"：0、
"dummyClksRd"：7、
"enableType"："0"、
"enableSeq"："0x00"、
"dummyCfg"：null、
"protocfg"：null、
"strDtrCfg"：空
}、
"p444s"：空、
"p444d"：空、
"p888s"：空、
"p888d"：｛
"isDtr"：false、
"cmdRd"："0x0B"、
"cmdWr"："0x12"、
"modeClksCmd"：0、
"modeClksRd"：0、
"dummyClksCmd"：8、
"dummyClksRd"：32,
"enableType"："0"、
"enableSeq"："0x00"、
"dummyCfg"：｛
"isAddrReg"：错误、
"cmdRegRd"："0x00"、
"cmdRegWr"："0x00"、
"cfgReg"："0x00000000"、
"移位"：0、
"Mask"："0x00"、
BitP"：31
}、
"protocfg"：｛
"isAddrReg"：错误、
"cmdRegRd"："0x00"、
"cmdRegWr"："0x00"、
"cfgReg"："0x00000000"、
"shift"：0、
"Mask"："0x00"、
"BitP"：0
}、
"strDtrCfg"：｛
"isAddrReg"：错误、
"cmdRegRd"："0x00"、
"cmdRegWr"："0x00"、
"cfgReg"："0x00000000"、
"shift"：0、
"Mask"："0x00"、
"BitP"：0
}
}、
"pCustom (pCustom)"：｛
"fxn"：空
}
}、
"addrByteSupport"："1"、
"fourByteAddrEnSeq"："0x22"、
"cmdExtType"："repeat"、
"ResetType"："0x30"、
"deviceBusyType"："0"、
"cmdWren"："0x06"、
"cmdRdsr"："0x05"、
"srWip"： 0、
"srWel"： 0、
"cmdChipErase"："0xC7"、
"rdIdSettings":{
"cmd"："0x9F"、
"numBytes"：5、
"dummy4"：0、
"dummy8"：0
}、
"xspiWipRdCmd"："0x00"、
"xspiWipReg"："0x00000000"、
"xspiWipBit"：0、
"flashDeviceBusyTimeout"：20000000、
"flashPageProgTimeout"：120
}
所有测试均已通过！！
我得出结论、我的闪存连接正确吗？
我想知道为什么这与 SDK 中提供的 Jason 数据不同(请参阅随附的文件)。
之后我获取了 flasher_JTAG_uniflash_am263px-LP 示例、调整了 SysConfig 中的引脚排列并更改了闪存设置(只是 ID 和大小、如果我更改了其他参数、它将不再起作用)
然后、我选择了 Uniflashtool,选择了 cosum flasher 并具有我所改编的 lasher_JTAG_uniflash_am263px-LP 示例的正确路径、并刷写了修改后的 sbl_ospi 和我的应用程序： 
在这里、我不确定外部闪存位于哪个地址的定义。 我只是拿了我在 am263p-cc 评估板上测试时使用的地址。
当我加载文件时、unifflash 表示可以刷新： 
但当我尝试读取地址0x60000000处的存储器时、只有0。 这里没有任何内容。
有什么想法,我做错了?
此致
Marcel
