工具/软件：
我们使用 TI-MSP432E401Y。 我们注意到、当我们写入芯片的内部 EEPROM 时、有一些时间需要接近~5-7秒才能完成写入。 (这可以通过每200毫秒写入 EEPROM 来重现)
我们使用以下 TI-RTOS 调用来写入 EEPROM、
写入 ：TI-MSP432E401Y
TI-RTOS ：6.81.01.
开发工作室 : CCS-12.6.0
这方面是否有任何已知问题？
您好、
我有几个问题。
首先、请回顾 EEPROM 的特性、了解对一个字进行编程并擦除一个块所需的时间。 编程时间将取决于是否需要复制缓冲区。 在最坏的情况下、最多可能需要1.8秒。 请参阅下面的。 对于擦除时序、它取决于自新鲜值以来 EEPROM 受到多少次/周期的影响。
在看到5-7秒的编程时间之前、您测试过这款特定芯片多长时间？ 换言之、当您从原始芯片开始时、还是在芯片上进行大量 EEPROM 编程后问题逐渐出现、您会看到这种情况吗？ 您说您尝试每200ms 重复对 EEPROM 进行一次编程。 我不知道您使用该设备玩了多长时间。 假设您已经让器件一周每200ms 编程一次 EEPROM。 这可以转化为300万个编程周期。 您可能已用尽写入/擦除周期的数量。
是否总是需要5-7秒、或者有时编程所需的时间更短？
您有其他设备要测试吗？ 您是在仅一个芯片还是多个芯片上看到问题？ 我想知道这是否是一次性问题。
如果您尝试下面的裸机代码、是否能重复同样的问题？
uint32_t ui32EEPROMInit;
uint32_t pui32Data[2];
uint32_t pui32Read[2];
//
// Enable the EEPROM module.
//
SysCtlPeripheralEnable(SYSCTL_PERIPH_EEPROM0);
//
// Wait for the EEPROM module to be ready.
//
while(!SysCtlPeripheralReady(SYSCTL_PERIPH_EEPROM0))
{
}
//
// Wait for the EEPROM Initialization to complete
//
ui32EEPROMInit = EEPROMInit();
//
// Check if the EEPROM Initialization returned an error
// and inform the application
//
if(ui32EEPROMInit != EEPROM_INIT_OK)
{
while(1)
{
}
}
//
// Program some data into the EEPROM at address 0x400.
//
pui32Data[0] = 0x12345678;
pui32Data[1] = 0x56789abc;
EEPROMProgram(pui32Data, 0x400, sizeof(pui32Data));
//
// Read it back.
//
EEPROMRead(pui32Read, 0x400, sizeof(pui32Read));